Bài viết nghiên cứu lý thuyết và khảo sát về tính dẫn điện của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn GaN/AlGaN pha tạp đồng nhất. Trong quá trình khảo sát, đề tài đã sử dụng phương pháp gần đúng thời gian hồi phục để tính độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác GaN/AlGaN và tính đuợc thời gian sống vận tải của điện tử. | TÍNH DẪN ĐIỆN CỦA ĐIỆN TỬ TRONG DỊ CẤU TRÚC BÁN DẪN GAN ALGAN PHA TẠP ĐỒNG NHẤT NGÔ THỊ XUÂN NGÔ HOÀNG NGỌC VÕ THỊ NHẬT LINH Khoa Vật Lý Tóm tắt Trong bài báo này chúng tôi đã nghiên cứu lý thuyết và khảo sát về tính dẫn điện của điện tử trong dị cấu trúc bán dẫn GaN AlGaN pha tạp đồng nhất. Trong quá trình khảo sát đề tài đã sử dụng phương pháp gần đúng thời gian hồi phục để tính độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác GaN AlGaN và tính đuợc thời gian sống vận tải của điện tử. Từ đó sử dụng phần mềm mathematica để khảo sát sự phụ thuộc của độ linh động của điện tử vào các tham số như mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp σ x mật độ lá ns mật độ tạp chất cho Ni và bề dày lớp spacer Ls ứng với các cơ chế tán xạ. Kết quả cho thấy rằng độ linh động của điện tử bị giới hạn mạnh bởi mật độ điện tích phân cực trên bề mặt chuyển tiếp và là một hàm giảm của σ x là hàm hầu như tuyến tính theo ns Ls và tăng khi ns Ls tăng. Ngoài ra độ linh động của điện tử gần như là hằng số khi tăng mật độ tạp chất cho Ni . Từ khóa tính dẫn điện dị cấu trúc GaN AlGaN độ linh động giếng lượng tử mật độ điện tích mật độ lá mật độ tạp chất cho bề dày lớp spacer 1. GIỚI THIỆU Trong suốt 3 thập kỉ qua sự phát triển của vật liệu bán dẫn nhóm III-N là rất ấn tượng với những sự đột phá có tính chất cách mạng diễn ra vào những năm của thập niên 90 1 . Chúng được xem như là những vật liệu đầy hứa hẹn cho những ứng dụng điện tử và quang điện tử. Vật liệu nhóm III-N có tính ứng dụng cao và đang thu hút sự quan tâm của các nhà nghiên cứu 2 . Các dị cấu trúc dựa trên hợp chất Nitơ nhóm III thu hút hàng loạt các nghiên cứu chuyên sâu do những tiềm năng đầy hứa hẹn trong khoa học công nghệ 3 . Điều hấp dẫn của các dị cấu trúc này là sự hiện diện của khí điện tử với mật độ cao cỡ 1013 hạt cm2 . Đặc biệt do hiệu ứng giam giữ lượng tử độ linh động của khí điện tử hai chiều trong giếng lượng tử cao hơn so với trong bán Kỷ yếu Hội nghị Khoa học Sinh viên năm học 2015-2016 Trường Đại học
