Nghiên cứu thiết kế vi mạch cảm biến từ trường kết hợp với bộ khuếch đại từ tính ứng dụng cho cảm biến từ trường 3D có tính cấp thiết cao. Kết quả nghiên cứu cho thấy độ nhạy tương đối của cảm biến thu được ở mức cao nhất là S = 15,21%/T khi không có bộ khuếch đại từ tính. Hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại từ tính đạt được khoảng 400 lần. | Hội nghị Quốc gia lần thứ 24 về Điện tử Truyền thông và Công nghệ Thông tin REV-ECIT2021 Thiết kế cảm biến từ trường 3D độ nhạy cao kết hợp với bộ khuếch đại từ tính Đào Đình Hà1 Hoàng Ngọc Tùng2 1 Khoa Vô tuyến Điện tử Học viện Kỹ thuật Quân sự 2 Khoa Kỹ thuật Tác chiến Điện tử Trường Cao đẳng Kỹ thuật Thông tin Email daodinhha@ Abstract Ngày nay cùng với sự phát triển mạnh mẽ của của cảm biến từ trường Hall là sử dụng các màng mỏng Internet kết nối vạn vật IoT mở ra các hướng khoa học chế tạo từ vật liệu n-InSb có độ linh động điện tử cao mới đó là thiết kế chế tạo các thiết bị cảm biến vi điện kết quả độ nhạy thu được lên đến 500 μV mT và tử tích hợp cho các mục đích ứng dụng khác nhau cung ngưỡng từ trường nhỏ nhất là 0 01 mT. Sử dụng vật cấp khả năng kiểm soát một loạt các thông số vật lý hóa liệu GaAs cũng làm tăng độ nhạy lên khoảng 2-3 lần so học và sinh học. Các cảm biến được sử dụng để đo cảm với các giải pháp dựa trên vật liệu tiêu chuẩn Si ứng từ trường có độ nhạy và dải đo bị giới hạn bởi vật Silicon 2 . Trong 3 trình bày các phần tử từ trở liệu sử dụng bên cạnh đó ứng dụng chủ yếu của chúng màng mỏng chế tạo từ vật liệu sắt từ Permalloy có độ dùng để đo từ trường trong mặt phẳng các ứng dụng nhạy vào khoảng 10 V T hoạt động trong dải tần số lên trong không gian ba chiều còn nhiều hạn chế. Vì vậy nghiên cứu thiết kế vi mạch cảm biến từ trường kết hợp đến 1 MHz ở nhiệt độ phòng tỷ số của tín hiệu trên tạp với bộ khuếch đại từ tính ứng dụng cho cảm biến từ nhiễu xấp xỉ 97 dB độ nhạy thu được cao hơn 20 lần trường 3D có tính cấp thiết cao. Kết quả nghiên cứu cho so với độ nhạy của phần tử Hall cổ điển trên cấu trúc thấy độ nhạy tương đối của cảm biến thu được ở mức vật liệu dị thể nInSb GaAs tuy nhiên nhược điểm trong cao nhất là S 15 21 T khi không có bộ khuếch đại từ các trường hợp này là hoạt động không ổn định theo tính. Hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại từ tính đạt thời gian và tăng mức tạp nhiễu của cảm biến. Có .
