Trong bài viết này, nhóm tác giả tiến hành khảo sát các tính chất điện tử và quang học của đơn lớp monochalcogenide nhóm III AlTe bằng cách sử dụng nguyên lý đầu (ab-initio) của lý thuyết phiếm hàm mật độ. | ISSN 1859-1531 - TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ - ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG VOL. 19 NO. 9 2021 73 TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ QUANG HỌC CỦA ĐƠN LỚP AlTe ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF AlTe MONOLAYER Huỳnh Ngọc Toàn1 Nguyễn Quang Cường2 Dụng Văn Lữ3 1 Trường Đại học Duy Tân 2 Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ cao Trường Đại học Duy Tân 3 Trường Đại học Sư phạm - Đại học Đà Nẵng Tác giả liên hệ dvlu@ Nhận bài 30 3 2021 Chấp nhận đăng 09 7 2021 Tóm tắt - Trong bài báo này nhóm tác giả tiến hành khảo sát các Abstract - In this paper we do a survey on the electronic and tính chất điện tử và quang học của đơn lớp monochalcogenide optical properties of the group III monochalcogenide AlTe nhóm III AlTe bằng cách sử dụng nguyên lý đầu ab-initio của monolayer using the density function theory. The dynamical lý thuyết phiếm hàm mật độ. Dựa trên việc phân tích phổ phonon stability of AlTe monolayer is confirmed via the analysis of its đơn lớp AlTe được khẳng định là có cấu trúc bền vững. Kết quả phonon spectrum. The obtained results indicate that the AlTe tính toán cho thấy đơn lớp AlTe ở trạng thái cân bằng là bán dẫn monolayer at the equilibrium state is an indirect semiconductor có vùng cấm xiên với độ rộng vùng cấm là 1 91 eV. Hằng số điện with band gap of eV. The static dielectric constant 1 0 of môi tĩnh 1 0 của đơn lớp AlTe là 3 104 lớn hơn so với một số AlTe monolayer is which is higher than that of several vật liệu có cấu trúc tương tự. Đơn lớp AlTe có khả năng hấp thụ similar materials. AlTe monolayer has the ability to strongly mạnh ánh sáng trong miền tử ngoại gần và có cường độ hấp thụ absorb light in the near-ultraviolet region and maximum cực đại là 78 76 104 cm 1 tương ứng năng lượng ánh sáng tới là absorption intensity is 104 cm 1 at the incident light energy 5 67 eV. Các kết quả tìm được không chỉ làm sáng tỏ thêm về các of eV. Our findings not only give a deeper understanding of tính chất vật lí của đơn lớp AlTe mà còn mở ra triển
