Hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon trong giếng lượng tử thế tam giác được khảo sát bằng phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái khi xét đến sự giam giữ phonon theo mô hình guided mode. Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính vào năng lượng photon được tính số và vẽ đồ thị. | ẢNH HƯỞNG CỦA SỰ GIAM GIỮ PHONON LÊN CỘNG HƯỞNG ELECTRON-PHONON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ THẾ TAM GIÁC NGUYỄN THỊ PHƯƠNG MAI 1 LÊ ĐÌNH 2 1 Học viên Cao học Trường Đại học Sư phạm Đại học Huế 2 Khoa Vật lý Trường Đại học Sư phạm Đại học Huế Tóm tắt Hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon trong giếng lượng tử thế tam giác được khảo sát bằng phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái khi xét đến sự giam giữ phonon theo mô hình guided mode. Sự phụ thuộc của công suất hấp thụ tuyến tính vào năng lượng photon được tính số và vẽ đồ thị. Từ đồ thị của công suất hấp thụ tuyến tính chúng tôi khảo sát các đỉnh cộng hưởng electron-phonon từ đó sử dụng phương pháp Profile để thu được độ rộng vạch phổ của các đỉnh cộng hưởng này. Kết quả thu được cho thấy sự xuất hiện các đỉnh thỏa mãn các điều kiện cộng hưởng electron-phonon và độ rộng vạch phổ của đỉnh cộng hưởng tăng theo nhiệt độ T và cường độ điện trường E0 . Từ khóa Giếng lượng tử thế tam giác công suất hấp thụ tuyến tính cộng hưởng electron-phonon. 1. MỞ ĐẦU Trong hệ bán dẫn thấp chiều hiện tượng cộng hưởng electron-phonon sau đây gọi tắt là cộng hưởng EPR gây ra bởi sự hấp thụ hay phát xạ một phonon có năng lượng bằng hiệu số hai mức năng lượng trong vùng con subband của electron. Hiệu ứng EPR thường được dò tìm bằng cách chiếu sóng điện từ dưới dạng photon vào bán dẫn lúc đó ta có hiệu ứng cộng hưởng electron-phonon dò tìm bằng quang học sau này gọi tắt là cộng hưởng ODEPR . Cộng hưởng EPR được bắt đầu nghiên cứu kể từ năm 1972 bởi Bryskin và Firsov cho trường hợp bán dẫn khối đặt trong điện trường mạnh 1 2 . Cho đến nay đã có nhiều công trình nghiên cứu cộng hưởng EPR và ODEPR trong giếng lượng tử 3 4 trong dây lượng tử 5 6 . Khi xét đến tương tác giữa electron tự do với các phonon quang bị giam giữ trong cấu trúc bán dẫn thấp chiều đã có một số mô hình phonon giam giữ được đưa ra. Mô hình slab mode thường sử dụng các điều kiện biên điện từ tại bề mặt khi cần sự liên tục của thành phần tiếp tuyến của trường E 7 . Mô hình .
