Bài viết Nghiên cứu tổng hợp silicon quantum DOT cluster trình bày việc tổng hợp và nghiên cứu sự ghép đôi của các chấm lượng tử silicon (Si QDs) để tạo ra cụm chấm lượng tử (Si QD cluster). Các Si QD cluster được tổng hợp bằng phản ứng gép C-C Sonogashira giữa các silicon chấm lượng tử (4˗Es/Oct Si QD) với 2,5˗dibromo˗3˗hexyl˗thiophene. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2019. ISBN 978-604-82-2981-8 NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP SILICON QUANTUM DOT CLUSTER Lê Thu Hường 1. GIỚI THIỆU nhiệt khử magie trong lò nung môi trường khí argon ở 670 C và trong 15h. Vật liệu chấm lượng tử bán dẫn được ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp điện như đèn LED pin mặt trời pin điện 1-4 . Chấm Brij L4 HĐBM Siêu âm H2O TEOS TEOS H2O NH4OH lượng tử có những tính chất quang đặc biệt Dầu H2O như hiệu ứng giam giữ lượng tử 5 nên vật liệu chấm lượng tử đã và đang trở thành đối Mg NaCl rắn SiO2 Si NC MgO Ar 670 tượng nghiên cứu sôi động trong những năm HĐBM SiO2 gần đây. Hầu hết các ứng dụng trong thiết bị của các chấm lượng tử bán dẫn không dựa Hình 1. Quy trình tổng hợp nano silicon trên các chấm lượng tử cô lập mà dựa trên . Tổng hợp 4 Es Oct Si QD chấm lượng ở trạng thái khối hoặc đám rắn . Các kết quả nghiên cứu cho thấy tính chất Các chấm lượng tử H Si QDs được tổng quang điện của chấm lượng tử ở trạng thái hợp từ Si NCs @ SiO2 nhờ phản ứng ăn mòn khối hoặc đám rắn bị ảnh hưởng bởi tương trong hỗn hợp axit hydrofluoric ethanol và tác giữa các chấm lượng tử 6 . Ảnh hưởng nước cất hình 2 . Để bảo vệ bề mặt H Si của tương tác giữa các chấm lượng tử đã QDs và tăng độ hòa tan trong dung môi H Si được một số nhóm nghiên cứu thực hiện 6- QDs được liên kết với các nhóm hữu cơ 1 4- 7 . Tuy nhiên các tính chất quang điện của diethynylbenzene và 1-octene. Sản phẩm thu chấm lượng ở trạng thái khối hoặc đám rắn được là 4 Es Oct Si QD. chưa được nghiên cứu nhiều. Trong bài báo này chúng tôi tổng hợp và nghiên cứu sự HF H2O EtOH BH3 THF ghép đôi của các chấm lượng tử silicon Si 1 1 1 6 h 1. 2. 1 4-diethynylbenzene 1-octene QDs để tạo ra cụm chấm lượng tử Si QD Si NC@SiO2 H-Si QD cluster . Các Si QD cluster được tổng hợp Hình 2. Quy trình tổng hợp 4 Es Oct Si QD bằng phản ứng gép C-C Sonogashira giữa các silicon chấm lượng tử 4 Es Oct Si QD với Để kết nối các 4 Es Oct Si QD với nhau 2 5 dibromo 3 hexyl thiophene DHT . bằng các .
