Bài viết Nghiên cứu, thiết kế, chế tạo mạch khuếch đại tạp âm thấp băng L ứng dụng cho hệ thống thu vệ tinh VINASAT trình bày quá trình nghiên cứu, thiết kế, chế tạo mạch khuếch đại tạp âm thấp làm việc ở băng tần L với dải tần 950 – 1750 MHz ứng dụng cho thiết bị thu vệ tinh VINASAT. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2019. ISBN 978-604-82-2981-8 NGHIÊN CỨU THIẾT KẾ CHẾ TẠO MẠCH KHUẾCH ĐẠI TẠP ÂM THẤP BĂNG L ỨNG DỤNG CHO HỆ THỐNG THU VỆ TINH VINASAT Trần Văn Hội Trường Đại học Thủy lợi email hoitv@ 1. GIỚI THIỆU CHUNG phối hợp trở kháng nguồn ZS với trở kháng vào của Transistor mạch phối hợp trở kháng Trong hệ thống thông tin vệ tinh tín hiệu ra thực hiện phối hợp trở kháng ra của thu được tại đầu vào anten thu là rất yếu và transistor với trở kháng tải ZL. ảnh hưởng rất lớn của tạp âm can nhiễu. Để thu được tín hiệu rất yếu thì trong tầng đầu tiên của máy thu sẽ là tầng khuếch đại tạp âm thấp LNA Low Noise Amplifier . Mạch khuếch đại tạp âm thấp có vai trò rất quan trọng nó quyết định đến chất lượng của máy thu bởi vì bất kỳ các thành phần tạp âm sinh ra bởi các thành phần trong tầng đầu sẽ được Hình 1. Sơ đồ mạch khuếch đại đơn tầng khuếch đại bởi các tầng sau. Việc thiết kế mạch khuếch đại tạp âm thấp Để đảm bảo các tham số của mạch khuếch LNA yêu cầu phải thỏa hiệp giữa các đặc đại nhóm nghiên cứu đề xuất thiết kế mạch tính quan trọng như hệ số khuếch đại hệ số khuếch đại tạp âm thấp 2 tầng nối tiếp trong tạp âm độ ổn định của mạch. Đã có nhiều đó Tầng 1 được thiết kế để đạt mức tạp âm công trình nghiên cứu thiết kế để thực hiện nhỏ nhất và thiết kế ở tần số . Tầng các mục tiêu giảm tạp âm tăng băng thông thứ hai được thiết kế để mở rộng dải thông và khuếch đại 1 - 4 . nâng cao hệ số khuếch đại mạch được thiết Mục đích của bài báo này là trình bày quá kế ở tần số trung tâm là . trình nghiên cứu thiết kế chế tạo mạch Linh kiện được lựa chọn trong thiết kế khuếch đại tạp âm thấp làm việc ở băng tần L mạch LNA là transistor siêu cao tần SPF- với dải tần 950 1750 MHz ứng dụng cho 3043 đây là đèn khuếch đại chế tạo theo thiết bị thu vệ tinh VINASAT. công nghệ pHEMT GaAs FET với tần số hoạt động 0 1 - 20 GHz hệ số tạp âm nhỏ 2. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU nhất là 0 5dB và Hệ số khuếch đại lớn nhất là 22dB ở tần số .
