Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs

Mục tiêu của đề tài "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác InAss/GaAs có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ cụ thể: Mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp và mật độ lá điện tử, bằng phương pháp cơ học lượng tử. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.