Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN

Mục tiêu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN" là nghiên cứu mật độ hấp thụ tích hợp của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN ứng với cơ chế tán xạ nhám bề mặt phân cực, có tính đến ảnh hưởng của tất cả các nguồn giam giữ có thể. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
3    69    2    27-04-2024
46    109    4    27-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.