Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb

Mục tiêu nghiên cứu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám từ cường độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb" là xác định hai kích thước của cấu hình nhám trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb thông qua khảo sát cường độ hấp thụ tích hợp của độ rộng phổ và chiều cao đỉnh phổ. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.