Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ

Mục tiêu cảu đề tài "Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ" là nghiên cứu và tính toán cấu trúc vùng năng lượng điện tử của đơn lớp SnSe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử đơn lớp SnSe2. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.