Mục tiêu cảu đề tài "Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ" là nghiên cứu và tính toán cấu trúc vùng năng lượng điện tử của đơn lớp SnSe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử đơn lớp SnSe2. |