Bài viết Chế tạo và khảo sát tính chất điện và quang của màng điện cực trong suốt dây nano bạc/ôxít thiếc indi tập trung vào việc chế tạo màng điện cực trong suốt dây nano bạc/ ôxít thiếc indi và nghiên cứu đặc tính điện và quang của chúng. Các dây nano bạc được tổng hợp bằng phương pháp polyol. | JST Engineering and Technology for Sustainable Development Volume 31 Issue 3 July 2021 058-062 Chế tạo và khảo sát tính chất điện và quang của màng điện cực trong suốt dây nano bạc ôxít thiếc indi Fabrication and Investigating the Electrical and Optical Properties of Silver Nanowire Indium Tin Oxide Transparent Conductive Electrodes Trần Quốc Hoàn Chu Đức Thành Hoàng Văn Hoàn Nguyễn Đăng Tuyên Nguyễn Duy Cường Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Hà Nội Việt Nam Email Tóm tắt Trong nghiên cứu này chúng tôi tập trung vào việc chế tạo màng điện cực trong suốt dây nano bạc ôxít thiếc indi và nghiên cứu đặc tính điện và quang của chúng. Các dây nano bạc được tổng hợp bằng phương pháp polyol. Đường kính và chiều dài của các dây nano bạc đã tổng hợp được nằm trong các khoảng tương ứng là 40-70 nm và 5-30 µm. Điện cực trong suốt được chế tạo từ dây nano bạc có điện trở bề mặt RSH khá cao 210 1 Ω . Sau khi phún xạ một lớp vật liệu ôxít thiếc indi lên bề mặt điện cực dây nano bạc RSH đã giảm mạnh xuống còn 30 1 Ω tương ứng với độ truyền qua 83 9 tại bước sóng 550 nm. Hệ số chất lượng của điện cực trong suốt tốt nhất đạt 68 3. Kết quả này cho thấy các điện cực trong suốt đã chế tạo được rất có tiềm năng trong việc ứng dụng làm điện cực cho pin năng lượng mặt trời và linh kiện điốt phát quang. Từ khóa Điện cực trong suốt AgNW Indi-thiếc ôxít độ truyền qua điện trở bề mặt. Abstract In this study we analyze the optical and electrical properties of silver nanowires indium tin oxide transparent conductive electrode TCE . Silver nanowire was synthesized by polyol method. ITO was deposited by direct- current sputtering. The diameter and length of the synthesized silver nanowire are in the range of 40-70 nm and 5-30 µm respectively. The silver nanowire TCEs have a rather high resistance 210 Ω . After a layer of indium tin oxide sputtered on silver nanowire TCE the resistance dropped sharply Ω corresponding to transmittance at 550 nm. The figure of .
