Using molecular dynamics simulation to study the growth of Ge thin film on Si substrate

Molecular dynamics simulations were conducted to investigate Ge thin film growth on Si substrates. The growth mode, surface morphology, and the layer coverage ratio of Ge atoms were investigated. The surface of the Ge thin film is not smooth, voids and vacancies are highly formed as the incident energy is lower than eV. |

Bấm vào đây để xem trước nội dung
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.