Bài viết "Kỹ thuật điều chỉnh các đặc tính điện tử của đơn lớp ZnGeN2 hai chiều bằng điện trường và biến dạng" nghiên cứu các đặc tính cấu trúc và điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp ZnGeN2 và ảnh hưởng của biến dạng và điện trường đến các tính chất đó. Đơn lớp ZnGeN2 là một cấu trúc ổn định về mặt động lực học ở nhiệt độ phòng. Mời các bạn cùng tham khảo! | Kỹ thuật điều chỉnh các đặc tính điện tử của đơn lớp ZnGeN2 hai chiều bằng điện trường và biến dạng Pham Dinh Khang1 Hoang Van Ngoc1 1 Viện Phát triển Ứng dụng Đại học Thủ Dầu Một Binh Duong Province Vietnam. E-mail ngochv@ TÓM TẮT Trong nghiên cứu này bằng các phép tính nguyên tắc đầu tiên chúng tôi đã nghiên cứu các đặc tính cấu trúc và điện tử của vật liệu hai chiều đơn lớp ZnGeN2 và ảnh hưởng của biến dạng và điện trường đến các tính chất đó. Đơn lớp ZnGeN2 là một cấu trúc ổn định về mặt động lực học ở nhiệt độ phòng. Ở trạng thái cơ bản đơn lớp ZnGeN2 sở hữu tính chất bán dẫn với độ rộng vùng cấm xiên được tính toán bằng 1 73 2 96 eV khi sử dụng các phương pháp PBE HSE06. Thêm vào đó các đặc tính điện tử của đơn lớp ZnGeN2 có thể được điều khiển bằng kỹ thuật biến dạng và điện trường. Cả biến dạng hai trục và biến dạng một trục đều gây ra sự thay đổi độ rộng vùng cấm và dẫn đến sự chuyển đổi từ chất bán dẫn sang kim loại và từ vùng cấm xiên sang thẳng. Trong khi đó điện trường làm giảm độ rộng vùng cấm và gây ra quá trình chuyển đổi kim loại - bán dẫn. Phát hiện của chúng tôi cho thấy đơn lớp ZnGeN2 là ứng cử viên rất hứa hẹn cho các thiết bị nano đa chức năng hiệu suất cao. TỪ KHÓA tính toán DFT đơn lớp ZnGeN2 tính chất điện tử điện trường biến dạng ABSTRACT In this work by first-principles calculations we investigate the structural and electronic properties of a two-dimensional ZnGeN2 layer as well as the effects of strains and electric fields. The ZnGeN2 monolayer is known to be a dynamically stable structure at room temperature. In the ground state the ZnGeN2 monolayer possesses semiconductor characters with an indirect band gap of eV obtained by PBE HSE06 calculations. Furthermore the electronic properties of the ZnGeN2 monolayer can be controlled by strain and electric field engineering. Both biaxial and uniaxial strain give rise to a band gap change and lead to the transition from semiconductor to metal and from indirect to direct
