Ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử và quang học của vật liệu hai chiều Janus HfSeO

Nghiên cứu "Ảnh hưởng của biến dạng lên tính chất điện tử và quang học của vật liệu hai chiều Janus HfSeO" cho thấy 2D Janus HfSeO có năng lượng vùng cấm gián tiếp, có giá trị gần eV. Cấu trúc 1T của HfSeO có độ bền cơ học, ít giòn với mô đun Young bằng N/m. Hệ số Poisson cao , giúp đơn lớp HfSeO phản ứng tốt dưới tác dụng của biến dạng nén. Mời các bạn cùng tham khảo! | Ảnh hưởng của Biến dạng lên tính chất Điện tử và Quang học của vật liệu hai chiều Janus HfSeO Võ Duy Đạt1 Võ Văn Ơn1 Cao Thị Thu Hương2 Lâm Tấn Phát3 1 Nhóm Vật Lý Tính Toán và Mô Phỏng Vật Liệu Tiên Tiến Viện Phát Triển Ứng Dụng Trường Đại học Thủ Dầu Một 2 Bộ Môn Hóa Học Trường THPT Chuyên Tiền Giang 3 Bộ Môn vật lý Trường THPT Chuyên Tiền Giang Corresponding author Email address onvv@ voduydat@ caothithuhuongch@ lamtanphat1802@ Tóm tắt Vật liệu hai chiều bất đối xứng HfSeO được nghiên cứu bằng phương pháp tính toán từ các định luật ban đầu sử dụng giả thế PBE HSE06 và phương pháp bán thực nghiệm DFT-D3. Kết quả nghiên cứu cho thấy 2D Janus HfSeO có năng lượng vùng cấm gián tiếp có giá trị gần eV. Cấu trúc 1T của HfSeO có độ bền cơ học ít giòn với mô đun Young bằng N m. Hệ số Poisson cao giúp đơn lớp HfSeO phản ứng tốt dưới tác dụng của biến dạng nén. Đồng thời cấu trúc điện tử bề mặt bất đối xứng giúp cho các tính chất quang học của HfSeO tăng cao dưới tác dụng nén. Giúp khả năng hấp thu ánh sáng cao hơn mở rộng vùng hấp thu ra khu vực hồng ngoại đồng thời nâng cao tỷ lệ hấp thu ở khu vực cực tím. Ngoài ra độ linh động điện tích của HfSeO cũng được dự đoán sẽ tăng. Trong khi đó biến dạng kéo dãn làm tăng năng lượng vùng cấm giảm độ linh động điện tích và khả năng hấp thu ánh sáng. Abstract The properties of 2D asymmetric HfSeO were investigated by applying first-principles calculations where the two pseudopotentials PBE and HSE06 were used together with the semi- empirical method DFT-D3. The calculation shows that the 2D Janus HfSeO has an indirect band gap of about eV. The 1T geometry of HfSeO with a Young s modulus of N m is dynamically stable and it is less brittle in comparison to the HfS2 monolayer. The slightly high Poisson s ratio of causes HfSeO to better respond to the compressive strains. At the same time the asymmetric surface electronic structure results in the significant

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
2    221    2    29-03-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.