Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation

Paper "Investigating a quickly cooling process of 2D SiC by molecular dynamics simulation" presents the study results of quickly cooling 2D silicon carbide by MD simulation with a sample of 8100 atoms. Silicon carbide 2D is cooled from 5000K to 300K with a velocity of 1013 K/s. Investigation of energy dependence on temperature shows a jump in the average total energy of molten 2D Silicon carbide at the temperature T = 3000K. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
18    86    1    20-04-2024
8    58    2    20-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.