Bài viết "Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao các tính chất cấu trúc và điện tử của vật liệu graphene 1D hấp phụ nguyên tử silicon" nghiên cứu chi tiết các tính chất cấu trúc và điện tử của GNR hấp phụ Si. Các tính chất cấu trúc và điện tử là được xác định bởi các đại lượng vật lý bao gồm năng lượng hấp phụ, các thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử và phân bổ mật độ điện tích không gian. Mời các bạn cùng tham khảo! | NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN HIỆU NĂNG CAO CÁC TÍNH CHẤT CẤU TRÚC VÀ ĐIỆN TỬ CỦA VẬT LIỆU GRAPHENE 1D HẤP PHỤ NGUYÊN TỬ SILICON Nguyễn Thanh Phương1 Nguyễn Anh Kha1 Nguyễn Duy Khanh1 Mai Thi Tuyến2 1. Trung tâm Công nghệ thông tin. 2. Viện Phát triển Ứng dụng Email khanhnd@ TÓM TẮT Các tính toán DFT hiệu năng cao là được sử dụng để nghiên cứu các tính chất cấu trúc và điện tử của vật liệu graphene 1D hấp phụ nguyên tử silicon Si . Một khung lý thuyết DFT được phát triển để xác định các tính chất thiết yếu bao gồm như năng lượng hấp phụ các thông số mạng tối ưu hóa cấu trúc vùng điện tử mật độ trạng thái điện tử và phân bổ mật điện tích không gian. Các tính toán DFT tối ưu xác định nguyên tử Si hấp phụ tối ưu nhất tại vị trí cầu bridge của AGNR và cấu trúc hấp phụ vẫn duy trì dạng lục giác phẳng do liên kết σ trong C- C vẫn còn duy trì rất mạnh. AGNR nguyên sơ sở hữu độ rộng vùng cấm năng lượng trực tiếp có giá trị eV vẫn còn chưa phù hợp cho các ứng dụng điện tử cần độ rộng vùng cấm nhỏ hơn. Dưới ảnh hưởng của hấp phụ Si thì độ rộng vùng cấm năng lượng được hiệu chỉnh có giá trị eV là rất tương thích cho vật liệu kênh dẫn trong các transistor hiệu năng cao và có sự chuyển dời từ độ rộng vùng cấm trực tiếp sang gián tiếp. Cơ chế hiệu chỉnh độ rộng vùng cấm năng lượng là do có sự chuyển dời các electron từ nguyên tử Si đến C. Sự chuyển dời điện tích này tạo ra mật độ electron cao trong AGNR được xem là bán dẫn loại n. Tính chất bán dẫn loại n của AGNR hấp phụ Si sẽ là các vật liệu bán dẫn 1D tương thích tốt trong các ứng dụng điện tử tiên tiến trong tương lai. Từ khóa Tính toán DFT graphene 1D tính chất điện tử chuyển dời điện tích bán dẫn loại n. 1. GIỚI THIỆU Các dãy graphene một chiều GNR đã thu hút nhiều nghiên cứu thực nghiệm Hou và nnk. 2017 tính toán Hoggard và nnk. 2013 và lý thuyết Horing và nnk. 2010 bởi vì GNR có cấu trúc mạng tổ Ong đặc biệt độ dày một nguyên tử độ rộng ở kích thước hữu hạn và giam cầm cấu trúc cạnh khác nhau. GNR với .
