Bài viết "Nghiên cứu tính toán hiệu năng cao sự oxy hóa của vật liệu graphene một chiều" tìm hiểu đại lượng vật lý DFT để xác định các tính chất cấu trúc và điện tử là được phát triển đầy đủ bao gồm năng lượng hấp phụ, các thông số cấu trúc tối ưu, cấu trúc vùng điện tử, mật độ trạng thái điện tử và phân bổ điện tích không gian. Các đại lượng được phát triển này là được liên hệ chặt chẽ và logic với nhau để xác định rõ ràng bức tranh vật lý và hóa học đa dạng gây ra bởi hấp phụ O. Mời các bạn cùng tham khảo! | NGHIÊN CỨU TÍNH TOÁN HIỆU NĂNG CAO SỰ OXY HÓA CỦA VẬT LIỆU GRAPHENE MỘT CHIỀU Huỳnh Thân Phúc1 Nguyễn Duy Khanh1 Nguyễn Thanh Tùng2 Đỗ Thị Hồng Châu2 1. Trung tâm Công nghệ thông tin 2. Viện Phát triển Ứng dụng Email khanhnd@ TÓM TẮT Các tính chất cấu trúc và điện tử của graphene một chiều 1D cạnh ghế bành AGNR hấp phụ nguyên tử oxy O là được nghiên cứu thông qua các tính toán phiếm hàm mật độ DFT hiệu năng cao. Các đại lượng vật lý DFT để xác định các tính chất cấu trúc và điện tử là được phát triển đầy đủ bao gồm năng lượng hấp phụ các thông số cấu trúc tối ưu cấu trúc vùng điện tử mật độ trạng thái điện tử và phân bổ điện tích không gian. Các đại lượng được phát triển này là được liên hệ chặt chẽ và logic với nhau để xác định rõ ràng bức tranh vật lý và hóa học đa dạng gây ra bởi hấp phụ O. Các vị trí hấp phụ O ban đầu được tính toán bao gồm vị trí top bridge cầu và hollow. Các tính toán tối ưu hóa xác định rằng O hấp phụ tối ưu nhất tại vị trí cầu của AGNR và cấu trúc AGNR hấp phụ O là đạt trạng thái ổn định khá tốt. Năng lượng hấp phụ được tính toán là khá lớn do vậy hệ hấp phụ này là thuộc về hấp phụ hóa học. AGNR nguyên sơ có độ rộng vùng cấm năng lượng được mở ra là eV so với cấu trúc graphene hai chiều 2D . Mặc dù độ rộng vùng cấm được mở ra này của AGNR nguyên sơ đã khắc phục được nhược điểm lớn của graphene 2D cho một số ứng dụng điện tử tuy nhiên độ rộng vùng cấm này vẫn chưa phù hợp cho một số ứng dụng yêu cầu độ rộng vùng cấm lớn hơn hoặc thu hẹp hơn. Dưới ảnh hưởng của hấp phụ O độ rộng vùng cấm của AGNR nguyên sơ được thu hẹp lại là eV độ rộng vùng cấm được thu hẹp này của AGNR hấp phụ O là rất phù hợp cho vật liệu kênh dẫn cho các transistor hiệu ứng trường hiệu năng cao. Các dự đoán DFT trong nghiên cứu này là có thể được kiểm chứng hoàn toàn bởi các phép đo thực nghiệm như kính hiển vi quét xuyên hầm scanning tunneling microscope STM kính hiển vi điện tử truyền qua transmission electron microscopy TEM quang phổ quang
