Bài viết Mô phỏng transistor một điện tử trong mô hình nhiều mức sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng cung cấp một cái nhìn tổng quan về những phát triển trong nghiên cứu của SET. Những ảnh hưởng của điện dung, thiên áp và nhiệt độ lên những đặc trưng dòng-thế của SET cũng được trình bày. | 22 MÔ PHỎNG TRANSISTOR MỘT ĐIỆN TỬ TRONG MÔ HÌNH NHIỂU MỨC SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP HÀM GREEN KHÔNG CÂN BẰNG SIMULATION OF SINGLE ELECTRON TRANSISTOR IN MULTI-LEVEL MODE USING NON-EQUILIBRIUM GREEN FUNCTION METHOD Huỳnh Hoàng Trung Lê Hoàng Minh. ĐH Sư phạm Kỹ thuật TP. HCM Đinh Sỹ Hiền . ĐH Khoa học Tự nhiên ĐH QG TP. HCM TÓM TẮT Transistor một điện tử SET là một yếu tố quan trọng trong lĩnh vực nghiên cứu của chúng tôi hoạt động của linh kiện dựa trên sự vận chuyển từng điện tử một qua kênh dẫn sử dụng hiệu ứng khóa Coulomb. Trong bài bào này chúng tôi cung cấp một cái nhìn tổng quan về những phát triển trong nghiên cứu của SET. Chúng tôi sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng NEGF để tính toán hàm truyền dao động Coulomb và những đặc trưng dòng-thế của SET. Chương trình mô phỏng được viết nhờ giao diện đồ họa người sử dụng GUI trong MatLab. Những ảnh hưởng của điện dung thiên áp và nhiệt độ lên những đặc trưng dòng-thế của SET cũng được trình bày. ABSTRACT Single electron transistor SET is a key element in our research field where device operation is based on one-by-one electron through the channel utilizing the Coulomb blockade effect. In this paper we provide an overview of research developments of SET. This is achieved in this model by using Non-Equilibrium Green Function NEGF method to compute transport function Coulomb oscillation and ultimately the current-voltage characteristics. The simulation program is written by using graphic user guide GUI in MatLab. The effects of capacitance bias and temperature on current-voltage characteristics of SET are also presented. 1. GIỚI THIỆU Công nghệ COMS là công nghệ chính của transistor SET thu hút sự chú ý của cộng đồng công nghiệp chế tạo vi mạch IC . Ngày nay nghiên cứu gần đây do chúng có thể chế tạo bằng khoảng 95 IC được chế tạo dựa trên công công nghệ CMOS tốc độ cao kích thước nano nghệ CMOS. Kích thước của MOSFET trong và công suất tiêu thụ thấp và đặc biệt hơn là hoạt IC là 32nm vào năm 2009 và theo dự .
