A study on number and thickness of InGaN/AlGaN multiple quantum well structure for 365nm - 385nm ultraviolet light emitting diodes

In this paper, the authors report a study on number of layers and thickness of InGaN/AlGaN multiple quantum well (MQW) structure based ultraviolet (UV) light emitting diode (LED) heterostructures with emission at the wavelength within the range from 365nm to 385nm, which has been studied by means of SiLENSe software and drift-diffusion transport equations for electron and hole concentrations. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
31    77    1    23-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.