Asymmetric tunneling of holes through a semiconductor junction in an arbitrary magnetization configuration

In this paper, we investigate the asymmetry of hole tunneling through a magnetic semiconductor tunnel junction (GaMnAs/GaAs/GaMnAs) in general cases, where the magnetizations of the two electrodes are noncollinear and their magnitudes are not equal. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.