Ability of a hydrogen atom to be adsorbed on the 2D silicon carbide

Hydrogen bonding on two-dimensional silicon carbide (2D SiC) was studied using molecular dynamics and ab initio calculations. By investigating a converged density functional theory (DFT) calculation, the stable bonding sites of a hydrogen atom on the 2D SiC were found at the top sites (TSi and TC, of which TSi is a more stable adsorption site). |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
2    79    1    28-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.