PC Werkstatt Ausgabe 2000- P42:Die rasante Entwicklung des Personal Computers – kurz PC – ist nicht aufzuhalten. Wer hätte 1981 schon vermutet, in welchem Maße der PC unser tägliches Leben verändern würde. Damals war er noch ein Gerät für Spezialisten, heute ist er dagegen sowohl im Berufsleben als auch zu Hause als Homecomputer anzutreffen und lässt sich, je nach internem Aufbau und der verwendeten Software, völlig unterschiedlich einsetzen. | Teil 4 Mainboard-Elektronik Typ Speichergröße Organisation in Bits x Bitbreite 416 16 Kbit 16384 x 1 4164 64 Kbit 65536 x 1 41256 256 Kbit 262144 x 1 411000 1024 Kbit 1048576 x 1 421000 1024 Kbit 1048576 x 1 511000 1024 Kbit 1048576 x 1 424100 4096 Kbit 4194304 x 1 4464 256 Kbit 65536 x 4 44256 1024 Kbit 262144 x 4 44400 4096 Kbit 1048576 x 4 424400 4096 Kbit 1048576 x 4 514400 4096 Kbit 1048576 x 4 Tabelle Daten von DRAMs in der Übersicht Die Zugriffszeit von DRAMs steht wenn kein Cache Verwendung findet in direkter Beziehung zum externen CPU-Takt Systemtakt Mainboard-Takt . CPU-Takt DRAMZugriffszeit 4 7 MHz 150 ns 8 MHz 120 ns 10-12 MHz 100 ns 16-20 MHz 80 ns 25 MHz 70 ns 33 MHz und höher 60 ns Tabelle Die DRAM-Zugriffszeit steht im Verhältnis zum Mainboard-Takt Die DRAMs werden in unterschiedlichen Gehäuseformen hergestellt. Für Mainboards sind sie meist im Dual-In-Line- DIP oder im SOJ- Small Out-Line J-Lead Gehäuse ausgeführt und befinden sich auf Speichermodulen . SIMM Single-In-Line Memory Module die in entsprechende Sockel auf dem Mainboard gesteckt werden. Auf Grafikkarten findet man die Bausteine auch häufig im Zig-Zag-In-Line-Package ZIP meist bei VRAMs was eine höhere Packungsdichte auf den Platinen erlaubt. 616 Speicherbausteine und -Module 18-Pin DIP 20-Pin ZIP _D 1 WË 2 RÄS 3 TF 4 AO 5 A1 6 A2 7 A3 8 Vcc 9 17 Q 16 CAS 15 A9 14 A8 13 A7 12 A6 11 A5 10 A4 A9 Q D RÄS NC AO A2 Vcc A5 A7 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 CÄS Vss WË NC A1 A3 A4 A6 A8 20-Pin SOJ D Lj. we e 2 RAS E 3 TF E 4 NC E 5 Vss 25 3 Q 24 3 CAS 23 3 NC 22 3 A9 AO E 9 A1 E 10 A2 E 11 A3 E 12 Vcc E 13 18 1 A8 17 3 A7 16 3 A6 15 3 A5 14 3 A4 TF Testfunktion Bild Übliche Gehäuseformen von DRAMs Eine DRAM-Speicherzelle ist relativ einfach aufgebaut und besteht im Wesentlichen aus einem Transistor und einem Kondensator der bei einem High geladen und bei einem Low entladen ist. Aufgrund der Selbstentladung eines Kondensators muss dieser typischerweise alle
