Giới thiệu chung: Phân loại, JFET: MOSFET kênh có sẵn (Depletion MOS), MOSFET kênh cảm ứng (Enhancement MOS). Cách phân cực, Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ, Sơ đồ tương đương và tham số xoay chiều. | Chương 4: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET Giới thiệu chung Phân loại JFET MOSFET kênh có sẵn (Depletion MOS) MOSFET kênh cảm ứng (Enhancement MOS) Cách phân cực Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ Sơ đồ tương đương và tham số xoay chiều Giới thiệu chung Trở kháng vào rất lớn, nMΩ-n100MΩ Được điều khiển bằng điện áp (khác với BJT) Tiêu tốn ít công suất Hệ số tạp âm nhỏ, phù hợp với nguồn tín hiệu nhỏ Ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ Phù hợp với vai trò khóa đóng mở công suất nhỏ Kích thước nhỏ, công nghệ chế tạo phù hợp với việc sử dụng để thiết kế IC Phân loại JFET-Junction Field Effect Transistor Kênh N Kênh P MOSFET-Metal Oxide Semiconductor FET Kênh có sẵn (Depletion MOS) : Kênh N và P Kênh cảm ứng (Enhancement MOS): Kênh N và P JFET Cấu trúc Hoạt động Đặc tuyến So sánh với BJT Ví dụ, bảng tham số kỹ thuật JFET – Cấu trúc JFET – Hoạt động VGS = 0, VDS>0 tăng dần, ID tăng dần JFET – Hoạt động VGS = 0, VDS = VP, ID = IDSS VP điện áp thắt kênh (pinch-off) JFET – Hoạt động VGS 0, giá trị mức bão hòa của ID cũng giảm dần VGS = VP, ID = 0 JFET – Đặc tuyến Đặc tuyến truyền đạt ID = f(VGS) tuân theo phương trình Shockley: ID = IDSS(1 - VGS/VP)2 IG ≈ 0A (dòng cực cổng) ID = IS (ID dòng cực máng, IS dòng cực nguồn) JFET – Đặc tuyến P-channel, IDSS = 6mA, VP = 6V N-channel, IDSS = 8mA, VP = - 4V JFET – Kí hiệu JFET 2N5457 Datasheet-2N5457 Rating Symbol Value Unit Drain-Source voltage VDS 25 Vdc Drain-Gate voltage VDG 25 Vdc Reverse G-S voltage VGSR -25 Vdc Gate current IG 10 nAdc Device dissipation 250C Derate above 250C PD 310 mW mW/0C Junction temp range TJ 125 0C Storage channel temp range Tstg -60 to +150 0C Datasheet-2N5457-characteristics Characteristic Symbol Min Typ Max Unit VG-S breakdown V(BR)GSS -25 Vdc Igate reverse(Vgs=-15, Vds=0) IGSS nAdc VG-S cutoff VGS(off) Vdc VG-S VGS Vdc ID-zero gate volage IDSS mAdc Cin Ciss pF Creverse transfer Crss | Chương 4: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng FET Giới thiệu chung Phân loại JFET MOSFET kênh có sẵn (Depletion MOS) MOSFET kênh cảm ứng (Enhancement MOS) Cách phân cực Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ Sơ đồ tương đương và tham số xoay chiều Giới thiệu chung Trở kháng vào rất lớn, nMΩ-n100MΩ Được điều khiển bằng điện áp (khác với BJT) Tiêu tốn ít công suất Hệ số tạp âm nhỏ, phù hợp với nguồn tín hiệu nhỏ Ít bị ảnh hưởng bởi nhiệt độ Phù hợp với vai trò khóa đóng mở công suất nhỏ Kích thước nhỏ, công nghệ chế tạo phù hợp với việc sử dụng để thiết kế IC Phân loại JFET-Junction Field Effect Transistor Kênh N Kênh P MOSFET-Metal Oxide Semiconductor FET Kênh có sẵn (Depletion MOS) : Kênh N và P Kênh cảm ứng (Enhancement MOS): Kênh N và P JFET Cấu trúc Hoạt động Đặc tuyến So sánh với BJT Ví dụ, bảng tham số kỹ thuật JFET – Cấu trúc JFET – Hoạt động VGS = 0, VDS>0 tăng dần, ID tăng dần JFET – Hoạt động VGS = 0, VDS = VP, ID = IDSS VP điện áp thắt kênh (pinch-off) .
