IGBT là phần tử điều khiển bằng điện áp, giống như MOSFET, nên yêu cầu điện áp phải có mặt liên tục trên cực điều khiển và emitter để xác định chế độ khóa, mở. Đối với IGBT phía cao trong một kênh của bộ nghịch lưu, điện áp tại chân emitter luôn thay đổi thường là giữa đất và điện áp dương của nguồn một chiều. Do đó cần phải tạo ra một nguồn điện áp trôi cho mạch lái phía cao để điều khiển cực cửa của IGBT trong khi tín hiệu điều khiển từ vi xử lý chỉ. | chương 15 Miêu tả chân IRAMS10UP60A Pin Name Description 1 VB3 High Side Floating Supply Voltage 3 2 W VS3 Output 3 - High Side Floating Supply Offset Voltage 3 na none 4 VB2 High Side Floating Supply voltage 2 5 V VS2 Output 2 - High Side Floating Supply Offset Voltage 6 na none 7 VBl High Side Floating Supply voltage 1 0 Output 1 - High Side Floating Supply Offset Voltage 9 na none lũ V- Positive Bus Input Voltage 11 na none 12 LEI Low Side Emitter Connection - Phase 1 13 LE2 Low Side Emitter Connection - Phase 2 14 LE3 Low Side Emitter Connection - Phase 3 15 HIN1 Logic Input High Side Gate Driver - Phase 1 16 HIN2 Logic Input High Side Gate Driver - Phase 2 17 HIN3 Logic Input High Side Gate Driver - Phase 3 18 JN1 Logic Input Low Side Gate Driver - Phase 1 19 JN2 Logic Input Low Side Gate Driver - Phase 2 20 JN3 Logic Input Low Side Gate Driver - Phase 3 21 T Itrip Temperature Monitor and Shut-down Pin 22 vcc 15V Main Supply 23 vss Negative Main Supply Hình 1-4 Bảng miều tả chân IRAMX16UP60A . Tính chọn tụ boostrap IGBT là phần tử điều khiển bằng điện áp giống như MOSFET nên yêu cầu điện áp phải có mặt liên tục trên cực điều khiển và emitter để xác định chế độ khóa mở. Đối với IGBT phía cao trong một kênh của bộ nghịch lưu điện áp tại chân emitter luôn thay đổi thường là giữa đất và điện áp dương của nguồn một chiều. Do đó cần phải tạo ra một nguồn điện áp trôi cho mạch lái phía cao để điều khiển cực cửa của IGBT trong khi tín hiệu điều khiển từ vi xử lý chỉ có mức điện áp 5V so với đất. Có nhiều phương pháp để thực hiện điều này một trong những cách đó la sử dụng mạch boostrap. Mạch boostrap bao gồm một điện trở và một tụ điện được nối theo sơ đồ như hình 1-5 . Phương pháp này có ưu điểm là giá thành thấp và dễ thực hiện nhưng bị hạn chế bởi yêu cầu xả điện tích trên tụ boostrap. Hình 1-5 Sơ đồ mạch boostrap Điện áp Vbs điện áp giữa chân Vb và Vs của IC cấp nguồn cho mạch kích phía cao của IC. Điện áp này đòi hỏi phải được giữ ở trong khoảng từ 10V .
