Diode silicon có PIV, dòng điện và dây điện áp hoạt động lớn hơn diode germanium. Điện áp PIV đối với silicon khoảng chừng 1000V trong khi đó giá trị lớn nhất của germanium là 400V. Silicon có thể sử dùng trong các ứng dụng mà nhiệt độ có thể lên đến 200°C trong khi đó nhiệt độ chịu dựng lớn nhất của germanium là 100°C. Tuy nhiên khuyết điểm của silicon so với germanium được xác định ở hình , trong đó điện áp phân cực thuận yêu cầu cao hơn để đạt đến vùng hoạt động