CHƯƠNG 2: DIODE VÀ MẠCH ỨNG DỤNG

Diode silicon có PIV, dòng điện và dây điện áp hoạt động lớn hơn diode germanium. Điện áp PIV đối với silicon khoảng chừng 1000V trong khi đó giá trị lớn nhất của germanium là 400V. Silicon có thể sử dùng trong các ứng dụng mà nhiệt độ có thể lên đến 200°C trong khi đó nhiệt độ chịu dựng lớn nhất của germanium là 100°C. Tuy nhiên khuyết điểm của silicon so với germanium được xác định ở hình , trong đó điện áp phân cực thuận yêu cầu cao hơn để đạt đến vùng hoạt động

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
8    59    2    01-05-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.