Thiểu số (có spin đối song song với từ độ) sẽ không bị pha trộn trong quá trình tán xạ. Sự dẫn điện có thể coi là tổng hợp của hai dòng độc lập và không cân bằng của hai loại spin có chiều khác nhau. | Chiều dài các dây nối làm tâng thời gian truyền. Người ta xác nhân rằng diện tích bể mặt của các dây nối lớn hơn rất nhiều diện tích bề mặt của các linh kiện tích cực. Việc tăng mức độ tích hợp đẫn đến vấn đề tích nhiệt trong các vi mạch. Hiện nay giới hạn nhiệt độ iw cm2 thì chưa cần đến các hộp tỏa nhiệt. Người ta dự định dùng các vỏ tỏa nhiệt bằng Fréon có thể làm lạnh đến nhiệt độ - 4Ơ C. Nhờ kỹ thuật làm lạnh có thể tăng vận tốc chuyển động định hướng của các điện tử thêm được 30 . Tuy nhiên hệ sổ tin cậy cồng suất X thời gian truyền giữ nguyên không thay đổi. Với công nghệ SOS silíc trên corindon cho phép tạo được các tranzito nhanh hơn rất nhiều so với phương pháp cổ diển. . Còng nghệ acsenic gali GaAs Công nghệ acscnic gali được sù đụng để sản xuất các linh kiện sièu cao tần và các linh kiện quang điện tử bởi vì trong vật liệu này điện tử có vận tốc chuyển dộng định hướng và độ linh động rất cao. Biing dưới đây cho ta thấy sự so sánh sự khác nhau trong hai loại vật liệu silíc và acscnic gali. BátỉỊ 2 2 So sánh mội số dặc tính của Si vâ GaAs Si GaAs Độ linh động Vận tốc cm s 1350 0 6500 1 7. 10 Hai tranzito có cùng kích thước thì tranzito GaAs hoạt động nhanh gấp 4 lần MOS siỉic. Hơn nữa đế của tranzilo GaAs là chất cách điện rất để thực hiện và có điện dung ký sinh rất nhỏ. Một tranzito trường GaAs có thể hoạt động tói tàn số 40GHz trong khi MOS silíc chỉ hoạt động đến 8GHz. Sự phát triển của công nghệ GaAs rất đặc biệt. Kể từ khi xuất hiên năm 1976 mức độ tổ hợp tăng gấp ba lần trong một năm. Điều đó cho phép tiên đoán mức độ tích hợp trong các vi mạch GaAs sẽ chiếm vị trí độc tôn nhưng giá thành của nó vẫn còn cao so với các vi mạch silíc cùng loại. Với lưu lượng số lớn hơn IGbít s công nghệ GaAs là công nghệ duy nhất đảm đương trọng trách này. Các vi mạch có cấu trúc nhiều lớp bán dần loại AI GaAs có độ linh động của điện tử tăng rất mạnh so với các cấu trúc thông thường. Độ linh dộng tăng gấp 2 lần ở nhiệt độ phòng và có thể tăng gấp .
