Góc độ khác biệt có tương quan đến giá trị R và C . Khi có thay đổi giá trị của R và C . Góc độ khác biệt sẻ thay đổi . Vì vậy, Tần số thời gian và Thời gian củng thay đổi | c Vds Vo V Vo const iD Ipo const d vDS BVdss Điện áp đánh thủng. Đổ thị Giá sử VDS const v s tháy đoi VGS 0 Táng vủng khủyệt i Rchánnệi táng Ìd giám ii Vpo giám vGS 0 Giám vủng khủyệt i RChánnệl giám iD táng ii Vpo táng Chửơng 6 4 Voltage-Sensitive Device Đồ thi Lưu y n-JFET Phân cực sao cho không có dòng Channei-Gate vGS 0 hoặc vGS nho 0 Đặc tuyên Điện ap Vds tai điểm nghen VDS-Pinch Off Vp Vpo Vgs Điện ap đanh thủng BVDSX - BVDSS vGS Đặc tuyến VA trong vùng bao hoa Giựặ điện âp nghen vâ đânh thủng Vp vDS BVDSX iD 1 po 3vGS V r po 2k A3 2 v Vpo J với vGS 0 1 Nhạn xet Vgs 0 Ìd Ipo Chướng 6 5 VGS - Vpo D 0 Trong vùng bão hoa iD khong phụ thuộc vDS Anh hưởng nhiệt đọ D I po cT A3 2 T0 V T J . 3vGS s 1 rGL 2 V Po V A3 2 VPO J trong đo I po iD khi vGS 0 tai nhiệt đo To. Ly thuyet hoạt động cua MOSFET Câu tạo n-channel MOSFET Nhãn xệt Ban đãù chưa co kệnh dãn giưa D vã S enhancement mode Cực cong Gate Mệtal - Oxide - Semiconductor MOS Chưởng 6
