Trong tất cả các chất den in, ban den van trong Nihau vật lieu in moa, chi ten tic so den in bang in to van độ den in này phụ thuộc vào số lượng các in to có khả năng tham gia den nhiên không phải mọi in to trong nguyên to đều được gia tốc khi có mặt in trường. | Xét bán dẫn nguyên tố Si. Một ntu Si có 4 điện tử vòng ngoài mỗi điện tử này liên kết đồng hóa trị với 4 ntu Si lân cận. Giả sử 1 ntu tạp chất này có thể tham gia vào liên kết. Một điện tử thừa ra chỉ đính một cách lỏng lẻo xung quanh ntu tạp chất bởi lực hút tĩnh điện yếu, NL liên kết của điện tử này tương đối nhỏ (0,01 eV) dễ bị tách khỏi ntu tạp chất khi đó nó trở thành điện tử tự do. Như vậy trong trường hợp này làm cho số điện tử tự do trong bán dẫn tăng lên rất nhiều. Và chỉ cần một số ntu tạp chất bằng một phần triệu số ntu bán dẫn tinh khiết cũng làm cho số điện tử tăng lên hàng vạn lần. Mỗi 1 điện tử gắn lỏng lẻo đó chiếm một mức NL đơn nằm trong khe cấm và ngay dưới đáy vùng dẫn. Để kích thích điện tử nhảy từ một trong các trạng thaistapj chất này lên 1 mức trong vùng dẫn đòi hỏi 1 NL tương ứng vơi NL liên kết điện tử. Cứ mỗi lần kích thích sẽ cấp 1 điện tử đơn vào vùng dẫn. Tạp chất này được gọi là đônơ. Bởi vì mỗi điện tử đônơ được kích thích từ một mức tạp chất nên không tạo ra lỗ trống tương ứng ở trong vùng hóa đó trong bán dẫn có tạp chất mật độ điện tử rất lớn so với mật độ lỗ trống (n>>p). Vì lẽ đó bán dẫn có tạp chất được gọi là bán dẫn điện tử hay bán dẫn loại n. Trong bán dẫn loại n các điện tử là những hạt tải đa số, còn lỗ trống là những hạt tải thiểu số.
