ĐLVN 40:1999. Máy xạ trị coban 60-chiếu ngoài. Quy trình kiểm định. Văn bản kỹ thuật này quy định quy trình kiểm định ban đầu và định kỳ các loại máy xạ trị Cô ban-60 chiều ngoài dùng trong y tế. | VĂN BẢN KỸ THUẬT ĐO LUÔNG VIỆT NAM ĐLVN 40 1999 Máy xạ trị Côban-60 chiếu ngoài - Quy trình kiểm định Cobalt-60 teletherapy equipment - Methods and means of verification 1 Phạm vi áp dụng Văn bản kỹ thuật này quy định quy trình kiểm định ban đầu và định kỳ các loại máy xạ trị Côban-60 chiếu ngoài dùng trong y tế. 2 Các thuật ngữ và định nghĩa Liều chiếu X là tỷ số X Q m Trong đó Q là tổng điện tích của tất cả các ion cùng dấu được tạo ra trong không khí khi tất cả các điện tử được giải phóng bởi các photon trong đơn vị thể tích không khí có khối lượng m và được dừng hoàn toàn trong đó. Đơn vị của liều chiếu là C kg. Đơn vị đặc biệt của liều chiếu là rơnghen R và tương đương với một đơn vị điện tích được tạo ra trên 0 001293 gam không khí hoặc 2 C kg không khí khô. Các đơn vị khác của liều chiếu là mR nC kg. Suất liều chiếu X là liều chiếu tính cho một đơn vị thời gian. Đơn vị của suất liều chiếu là culông trên kilôgam giây C hay ampe trên kilôgam A kg . Đơn vị đặc biệt của suất liều chiếu là rơnghen trên đơn vị thời gian như R s R h . Liều hấp thụ D là tỷ số giữa năng lượng trung bình dE mà bức xạ truyền cho vật chất trong thể tích nguyên tố và khối lượng vật chất dm của thể tích đó dE D ----- dm Đơn vị của liều hấp thụ là grây gray ký hiệu Gy 1Gy 1J kg . Đơn vị đặc biệt của liều hấp thụ là Rad viết tắt của Radiation Absorbed Dose ký hiệu rad. 3 ĐLVN 40 1999 1 rad 0 01 Gy Suất liều hấp thụ D là liều hấp thụ tính cho một đơn vị thời gian. Đơn vị của suất liều hấp thụ là grây trên giây Gy s . Đơn vị khác của suất liều hấp thụ là rad trên đơn vị thời gian rad s rad h . . Liều sâu phần trăm là tỷ số biểu thị dưới dạng phần trăm của liều hấp thụ ở chiều sâu x bất kỳ Dx và liều hấp thụ ở điểm khảo sát cố định trên tia trung tâm D0 Dx Liều sâu phần trăm Do Kerma K là tỷ số giữa tổng giá trị động năng ban đầu của tất cả các hạt mang điện được sinh ra do các bức xạ ion hoá gián tiếp dEK trong thể tích nguyên tố của vật liệu và
