ZnO là một trong những hợp chất bán dẫn thuộc nhóm II/VI nó được các nhà khoa học quan tâm hàng đầu, có độ rộng vùng cấm 3,37 eV và năng lượng liên kết exciton lớn 60 meV ở nhiệt độ phòng, nó có khả năng cung cấp sự phát xạ exciton có hiệu suất cao ở nhiệt độ phòng và được quan tâm ứng dụng đối với những thiết bị quang học như là:Diod phát quang xanh hoặc cực tím (LEDs) và những Diod Laser thế hệ đời mới (LDs) | Luận văn tồt nghiệp Đại học 1 MỤC LỤC TRANG Chương I - Tông quan . Màng mỏng ZnO trên đế Si có lớp Ti đệm. . Giới thiệu. . Tác dụng đệm của Ti lên màng ZnO trên Si. . Ứng dụng. . Ưu điểm của ZnO. . Tạo màng bằng phương pháp phủn xạ MAGNETRON DC. .Cơ chế vật lí của phún xạ . . Hiệu suất phún xạ. . Cấu tạo hệ phún xạ. . KĨ thuật phún xạ. . Đặt trưng của phún xạ. . Quá trình tạo bia gốm ZnO. . Phép đo hall xác định đặt tính điện. . Phươngpháp bốn đấu dò xác định đặt tính điện. . Tính chất điện. . Đặt tính quang. . Cấu trúc ZnO. Chương II - Thực nghiệm và kết quả bàn luận . Chế tạo bia gốm ZnO. .Chuẩn bị vật liệu bột Oxit. trộn bột Oxit. .Định hình bia ZnO. bia ZnO. . Bia kim loại Ti. SVTH Trần Văn Thảo Luận văn tồt nghiệp Đại học 2 . Làm sạch lam thủy tinh và Silic. . Các bước trong quá trình phủn xạ. . Môi trường chế tạo màng mỏng ZnO Si và ZnO Ti Si. . Kết quả và thảo luận. . Chế tạo màng ZnO trên đế thủy tinh. . Chế tạo màng ZnO trên đế Si 111 và 100 . . Chế tạo màng ZnO trên đế silic có lớp đệm Ti. Chương III - Kết luận - hướng phát triển Tài liệu tham khảo. Phụ lục. SVTH Trần Văn Thảo Luận văn tồt nghiệp Đại học 3 Chương I - TỔNG QUAN . Màng mỏng ZnO trên đế Si có lớp Ti đệm. . Giới thiệu ZnO là một trong những hợp chất bán dẫn thuộc nhóm II VI nó được các nhà khoa học quan tâm hàng đầu có độ rộng vùng cấm 3 37 eV và năng lượng liên kết exciton lớn 60 meV ở nhiệt độ phòng nó có khả năng cung cấp sự phát xạ exciton có hiệu suất cao ở nhiệt độ phòng và được quan tâm ứng dụng đối với những thiết bị quang học như là Diod phát quang xanh hoặc cực tím LEDs và những Diod Laser thế hệ đời mới LDs . Màng ZnO được tạo ra trên những đế khác nhau như là Ngọc bích sapphire Si ScAlMgO4 GaAs CaF và SiO2 . cho đến bây giờ đế sapphire được dùng phổ biến nhiên do dộ dẫn nhiệt kém khó cắt ra mành nhỏ và giá thành cao nên đế .
