Thông thường, các màng mỏng để có thể sử dụng đều được chế tạo trên các lớp đế, là các khối vật liệu đơn tinh thể (VD: Si, MgO, Ge, GaAs, thạch anh.). Các kỹ thuật chế tạo màng mỏng bắt đầu được phát triển từ cuối thế kỷ 19, cho đến thời điểm hiện tại, có rất nhiều phương pháp được dùng tùy theo mục đích và điều kiện kinh tế, kỹ thuật: Kỹ thuật mạ điện Kỹ thuật phun tĩnh điện Bốc bay nhiệt trong chân không Phún xạ catốt Epitaxy chùm phân tử (MBE) Lắng đọng hơi. | III - PHƯƠNG PHÁP CHÉ TẠO MÀNG MỎNG TỪ TÍNH Thông thường các màng mỏng để có thể sử dụng đều được chế tạo trên các lớp đế là các khối vật liệu đơn tinh thể VD Si MgO Ge GaAs thạch anh. . Các kỹ thuật chế tạo màng mỏng bắt đầu được phát triển từ cuối thế kỷ 19 cho đến thời điểm hiện tại có rất nhiều phương pháp được dùng tùy theo mục đích và điều kiện kinh tế kỹ thUật Kỹ thuật mạ điện Kỹ thuật phun tĩnh điện Bốc bay nhiệt trong chân không Phún xạ catốt Epitaxy chùm phân tử MBE Lắng đọng hơi hóa học CVD Lắng đọng chùm laser Phương pháp sol-gel 1 Một số phương pháp chính thường dùng để chế tạo màng mỏng từ là Epitaxy chùm phân tử MBE Bốc bay nhiệt trong chân không Phương pháp phún xạ Lắng đọng hơi hóa học CVD Cấu trúc của màng mỏng tùy thuộc vào kỹ thuật chế tạo có thể mang cấu trúc của vật liệu nguồn hoặc có thể thay đổi phụ thuộc vào kỹ thuật chế tạo các điều kiện khi chế tạo. 2 1 .Epitaxy chùm phân tử MBE Epitaxy chùm phân tử Molecular beam epitaxy viết tắt là MBE là thuật ngữ chỉ một kỹ thuật chế tạo màng mỏng bằng cách sử dụng các chùm phân tử lắng đọng trên đế đơn tinh thể trong chân không siêu cao để thu được các màng mỏng đơn tinh thể có cấu trúc tinh thể gần với cấu trúc của lớp đế. Kỹ thuật này được phát minh vào những năm 60 của thế kỷ 20 tại Phòng thí nghiệm Bell Bell Telephone Laboratories bởi . Arthur và Alfred Y. Cho.
