Tham khảo tài liệu 'điện tử học : diod part 3', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Light output n Substrate A Epitaxial layers Fig. A schematic illustration of one possible LED device structure. First n is epitaxially grown on a substrate. A thin p layer is then epitaxially grown on the first layer. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http Eg a y Ec Ey-- E en b N doped GaP Fig. a Photon emission in a direct bandgap semiconductor. b GaP is an indirect bandgap semiconductor. When doped with nitrogen there is an electron recombination center at EN. Direct recombination between a captured electron at EN and a hole emits a photon. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http Mach LED LED dan co VD 1 6V - 2 2V ID 5 - 30mA Chon trung bình VD 2V va ID 10 mA Mach co điện trở RD nối với LED với nguonVcc cach tính trị RD tuy theo trị sốố nguốn Vcc V CC R dI D V D _ V CC - V D Rd _ Id I Vcc 5V RD 200 Ohm Chon 270 hoặc 330 Ohm 9V 700 Ohm Chon 680 12V 1000 Ohm Vcc A .
