Điện tử học : Transistor lưỡng cực nối (Bipolar junction Transistor) part 2

cực thuận EB, Phân cực nghịch CB: Do tác động của điện trường ngoài,các điện tử tự do bị đẩy vào cực nền. Tại đây do cực nền hẹp nên có chỉ 1 số ít đttd bị tái kết, đa số đttd còn lại đều bị hút về cực thu BJT dẫn mạnh ( kiểu tác động thuận rất thông dụng trong mạch khuếch đại) . Engoài Engoài cực nghịch EB, phân cực thuận CB Cách hoạt động giống như ở kiểu 3 nhưng các hạt tãi di chuyển theo chiều từ cực thu sang cực phát . | Cac kiểu hoạt động trên không sử dụng riêng biệt mà kết hợp nhau trong hoạt động giao hoán chuyển mạch f Ic Q1 Q1 432 V0E cực thuận EB Phân cực nghịch CB Do tác động của điện trường ngoài các điện tử tự do bị đẩy vào cực nền. Tại đây do cực nền hẹp nên có chỉ 1 số ít đttd bị tái kết đa số đttd còn lại đều bị hút về cực thu - BJT dẫn mạnh kiểu tác động thuận rất thông dụng trong mạch khuếch đại . Engoài Engoài Cách hoạt động giống như ở kiểu 3 nhưng các hạt tãi di chuyển theo chiều từ cực thu sang cực phát . Do cấu trúc bất đối xứng các dòng thu và dòng phát đều nhõ hơn ở kiểu tác động nghịch BJT dẫn theo kiểu tác động nghịch. n p

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.