cho VDS = và VGS | regions further widen near the drain end eventually pinching off the channel. This corresponds to the saturation region Gate Source ------------------- Drain Pinched-off channel cho VDS và VGS 0 Khi VGS 0 VGS1 -1V Nối pn phân cực nghịch vùng hiếm lớn hơn khi VGS 0V dòng thoát ID có trị nhõ hơn và trị số điện thế nghẽn Vp1 cũng nhỏ hơn Vpo. Khi cho VGS càng âm VGS2 -2V vùng hiếm càng tăng kênh càng hẹp hơn dòng ID càng nhõ hơn nữa và Vp2 Vp1. Khi VGS âm đủ lớn thí dụ VGS - 5V vùng hiếm quá lớn làm kênh bị tắt dòng ID 0 và điện thế phân cực cổng - nguồn là điện thế ngưng Vgsoff - Vpo. Sộ V GS -5 V SCL p 9D G VDS Fig. When Vgs -5 V the depletion layers close the whole channel from the start at VDS 0. As VDS is increased there is a very small drain current which is the small reverse leakage current due to thermal generation of carriers in the depletion layers. From Principles of Electronic Materials and Devices Second Edition . Kasap McGraw-Hill 2002 http M .
