QUANG ĐIỆN TỬ VÀ QUANG ĐIỆN - CHƯƠNG 5

MỘT SỐ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ THÔNG DỤNG § RADIATING DIODES AND DISPLAY DEVICES 1) Radiating junction devices - Khi có dòng thuận qua LED hoặc IRED, các photon được bức xạ từ diode junction do tái hợp điện tử và lỗ trống tại miền chuyển tiếp (junction). - Bước sóng photon là hàm của chuyển mức năng lượng xảy ra trong quá trình tái hợp. - Đa số linh kiện LED và IRED chế tạo từ các vật liệu trên cơ sở gallium | Dòng nhiễu tổng In In Is2 It2 1 2 Công suất nhiễu tương đương NEP NEP In R Ví dụ Tính phân bố nhiễu khi cho biết H0 A X R RL Af RSH Id. Trở nối tiếp Rs bao gồm trở của vật liệu và các tiếp xúc đóng vai trò quan trọng với thời gian lên và tính tuyến tính nhận giá trị từ 0 1 Q vài trăm Ohm Trường hợp RL RS RSH và RL RS giả thiết IP IN Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ sẽ gọn hơn Hằng số thời gian của hệ đầu thu trc Rs Rl C Cp với Cp là các điện dung song song khác Đáp ứng của detector bắt đầu phi truyền khi dòng 1 3 dòng bão hoà Dòng tuyến tính tối đa Imax Isat 3 1 3 Vb Rs Rl 42 CHƯƠNG V MỘT SỐ LINH KIỆN QUANG ĐIỆN TỬ THÔNG DỤNG RADIATING DIODES AND DISPLAY DEVICES 1 Radiating junction devices - Khi có dòng thuận qua LED hoặc IRED các photon được bức xạ từ diode junction do tái hợp điện tử và lỗ trống tại miền chuyển tiếp junction . - Bước sóng photon là hàm của chuyển mức năng lượng xảy ra trong quá trình tái hợp. - Đa số linh kiện LED và IRED chế tạo từ các vật liệu trên cơ sở gallium. Bảng LED materials and wavelengths Material wavelength nm Comments GaP gallium phosphide 520 570 Green GaP gallium phosphide 630 790 Red GaAsP gallium arsenide phosphide 640 700 Orange-red GaAlAs gallium aluminum arsenide 650 700 Red GaAs gallium arsenide 920 950 Infrared - Các LED hoặc IRED tiêu biểu có lớp vật liệu N tương đối dày được phủ vàng ở mặt đáy. Mặt trên của linh kiện là lớp P rất mỏng cỡ vài Lim cho phép các photon bức xạ ra ngoài. Lớp N có thể gồm môtl số lớp của các vật liệu chứa Ga được pha tạp khác nhau để cho bước sóng mong muốn. - Các diode trên cơ sở Ga có thế thuận tương đối cao so với Si và Ge. Đặc trưng dòng thế của LED ít dốc hơn nhiều so với Si diode. Data sheets - Các đặc tả của LED HLMP-3000 Introductory comments Red solid state lamps 43 Absolute maximum ratings at TA 25oC power dissipation 100mW DC forward current 50 mA derating linearly from 50oC at mA oC Peak forward current 1Amp 1psec pulse width 300pps 1-A current is applied to the device for a .

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
15    70    1    12-05-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.