Do điều hành theo kiểu tăng nên ta phải chọn R1, R2, RS sao cho: VGS VS = RSID tức VGS 0 Giao điểm của đặc tuyến truyền và đường phân cực là điểm điều hành Q. Từ đồ thị ta suy ra IDQ và VGSQ và từ đó ta có thể tìm được VDS, VD, VS . MẠCH KẾT HỢP BJT VÀ FET: Ðể ổn định điểm tĩnh điều hành cho FET, người ta có thể dùng mạch phân cực kết hợp với BJT. BJT ở đây đóng vai trò như một nguồn dòng điện. Mạch phân cực. | Do điều hành theo kiểu tăng nên ta phải chọn R1 R2 Rs sao cho Vgs Vs RsId tức Vgs 0 Giao điểm của đặc tuyến truyền và đường phân cực là điểm điều hành Q. Từ đồ thị ta suy ra IDQ và VGSq và từ đó ta có thể tìm được Vds Vd Vs . MẠCH KẾT HỢP BJT VÀ FET Để ổn định điểm tĩnh điều hành cho FET người ta có thể dùng mạch phân cực kết hợp với BJT. BJT ở đây đóng vai trò như một nguồn dòng điện. Mạch phân cực cho BJT thường dùng là mạch cầu chia điện thế hay ổn định cực phát. Thí dụ ta xác định VD và Vc của mạch hình . Để ý là PRE 288k 10R2 240k nên ta có thể áp dụng phương pháp tính gần đúng VE Vrjp . E-1 R2 - -V Vp - VT F IE Ip R Is và ke từ đó V 2i V - RDID Iũ-Ũ7v Ngoài ra do Iq ũ nên Vq Vp. vc vs vg-vgs vb-vgs r -i2 VPtS I G5 và Id - Idss Ta có thể giải phương trình trên để tìm VGS. Đơn giản hơn ta dùng phương pháp đồ thị. Cách vẽ đặc tuyến truyền như ở phần trước. Từ đồ thị ta suy ra VGS . Từ đó Vc Vb - Vgs Người ta cũng có thể dùng FET như một nguồn dòng điện để ổn định phân cực cho BJT như ở hình . Sinh viên thử phân giải để xác định VC VD của mạch. THIẾT KẾ MẠCH PHÂN CựC DÙNG FET Công việc thiết kế mạch phân cực dùng FET thật ra không chỉ giới hạn ở các điều kiện phân cực. Tùy theo nhu cầu một số các điều kiện khác cũng phải được để ý tới nhất là việc ổn định điểm tĩnh điều hành. Từ các thông số của linh kiện và dạng mạch phân cực được lựa chọn dùng các định luật Kirchoff định luật Ohm. và phương trình Schockley hoặc đặc tuyến truyền đường phân cực. để xác định các thông số chưa biết. Tổng quát trong thực hành để thiết kế một mạch phân cực dùng FET người ta thường chọn điểm điều hành nằm trong vùng hoạt động tuyến tính. Trị số tốt nhất thường được chọn T _ 1DSS V PK ----- 2 . là z hoặc . Ngoài ra VDS cũng không được vượt quá trị số tối đa mà FET có thể chịu đựng được. Thí dụ Trong mạch điện hình chọn ID mA VD 12v. Dùng FET có IDSS 6mA VGS off -3v. Xác định RD và Rs. Ta có rd v - chọnRp kQ trị
