Tham khảo tài liệu 'hóa lý tập 3 - hóa động học, tốc độ phản ứng phần 10', tài liệu phổ thông, hóa học phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | electron ngược nhau nhưng nổng độ chất mang dòng electron ló trống đểu giảm do đó độ dẫn điện của chất hấp phụ giảm. Ta gọi đó là sự hấp phụ tiểu hao. Trường hợp thứ hai gọi là háp phụ tích lũy xẩy ra nếu do kết quả hấp phụ nồng độ chất mang dòng trong chất rắn tăng lên đó là trường hợp hấp phụ cation trên bán dẫn kiểu n hoặc hấp phụ anion trên bán dẫn kiểu p. Để mô tả các hiện tượng này Aigrain Dugas Hauffe Weisz đã để ra thuyết lớp biên mà nội dung có thể minh họa trên hình và . Hình . Sơ đổ biêu diễn sự hấp phụ cation trên bán dẫn kiẻu p a - chất bán dẫn trước hấp phụ b - sau hấp phụ. 1 - vùng dẫn 2 - mức Fermi 3 - mũc nhận 4 - vùng hóa trị 5 - chát bán dẫn 6 - chắt bị háp phụ Xét Sự hấp phụ anion trên bán dẫn kiểu n hình nếu gọi a- ái lực electron của nguyên tử bị hấp phụ và p - công tách electron của chất bán dẫn thì khả nảng hấp phụ của nguyên tử đầu tiên bằng a-y e trong đó e - điện tích của electron. Quá trình hấp phụ càng xảy ra thì chất bán dẫn càng nghèo electron và bể mặt càng tích điện dương do đó công tách electron tăng lên mức Fermi hạ xuống hình . Giả thiết sau khi hấp phụ N nguyên tử mức Fermi hạ xuống một giá trị Vp cân bằng với hóa thế của nguyên tử bị hấp phụ khi đó sự hấp phụ dừng lại đạt cân bằng Nf electron bị tiêu hao trong lốp bể mặt có độ sâu l. Đối với sự hấp phụ cation trên bán dẫn p hình nâng lượng hấp phụ của nguyên tử đẩu tiên bằng y - I e trong đo I - thế ion hóa nguyên tử bị hấp phụ. Quá trình hấp phụ càng xảy ra mức Fermi càng được nâng lên cho đến khi cân bằng với thế năng của nguyên tử bị hấp phụ. Khi đo sự hấp phụ dừng lại. Nếu có Nf nguyên tử bị hấp phụ thì bấy nhiêu electron được chuyển vào lấp các lỗ trống của chất bán dẫn trên lớp bể mặt có độ sâu l hình . Nếu chấp nhận mật độ điện tích trong lớp biên l là không đổi có thể chứng minh được hệ thức Nf 2 noVf 4L15 trong đo k - độ thấm điện môi n - nổng độ chất mang dòng trong thê tích bán dẫn. Thay các giá trị điển hình của các thông số trong
