Do tính chất trên, diode zener thường được dùng để chế tạo điện thế chuẩn. Thí dụ: mạch tao điện thế chuẩn 4,3V dùng diode zener 1N749 như sau: R=470Ω VS=6→15V IN749 4,3V I VS=6→15V X Tải ≅ R=470Ω + VZ=4,3V I X TảiKiểu mẫu của diode zener đối với điện trở động: Thực tế, trong vùng zener, khi dòng điện qua diode tăng, điện thế qua zener cũng tăng chút ít chứ không phải cố định như kiểu mẫu lý tưởng | I VZ. Khi điện thế phân cực nghịch nhỏ hơn hay bằng điện thế VZ diode Zener không dẫn điện ID 0 . Vz - Vd -Vz Id -Iz Vz - Diode lý tưởng -Vz ID 0 Vd Hình 34 Do tính chất trên diode zener thường được dùng để chế tạo điện thế chuẩn. Thí dụ mạch tao điện thế chuẩn 4 3V dùng diode zener 1N749 như sau R 470Q Vs 6 15V Tải S Vz 4 3V - - 4 X Tải Hình 35 Khi chưa mắc tải vào thí dụ nguồn VS 15V thì dòng qua zener là I Vs Vz 15 4 3 22 8mA R 470 Kiểu mẫu của diode zener đối với điện trở động Thực tế trong vùng zener khi dòng điện qua diode tăng điện thế qua zener cũng tăng chút ít chứ không phải cố định như kiểu mẫu lý tưởng. Người ta định nghĩa điện trở động của diode là r ZZ V v ZT V v ZO IZT Trong đó VZO là điện thế nghịch bắt đầu dòng điện tăng. VZT là điện thế ngang qua hai đầu diode ở dòng điện sử dụng IZT. Trang 56 Biên soạn Trương Văn Tám IZ Diode lý tưởng Zz Vz0 - Hình 36 5. Diode biến dung Varicap - Varactor diode Phần trên ta đã thấy sự phân bố điện tích dương và âm trong vùng hiếm thay đổi khi điện thế phân cực nghịch thay đổi tạo ra giữa hai đầu diode một điện dung CT AQ A -77 8-7 av Wd Điện dung chuyển tiếp CT tỉ lệ nghịch với độ rộng của vùng hiếm tức tỉ lệ nghịch với điện thế phân cực. Đặc tính trên được ứng dụng để chế tạo diode biến dung mà trị số điện dung sẽ thay đổi theo điện thế phân cực nghịch nên còn được gọi là VVC diode voltage-variable capacitance diode . Điện dung này có thể thay đổi từ 5pF đến 100pF khi điện thế phân cực nghịch thay đổi từ 3 đến 25V. Một ứng dụng của diode là dùng nó như một tụ điện thay đổi. Thí dụ như muốn thay đổi tần số cộng hưởng của một mạch người ta thay đổi điện thế phân cực nghịch của một diode biến dung. Trang 57 Biên soạn Trương Văn Tám 1 A U 2 Diode 7 - biến dung - - Lj L Hình 38 6. Diode hầm Tunnel diode Được chế tạo lần đầu tiên vào năm 1958 bởi Leo-Esaki nên còn được gọi là diode Esaki. Đây là một loại diode đặc biệt được dùng khác với nhiều loại diode khác. Diode hầm có nồng độ pha chất ngoại lai lớn hơn diode .
