Tham khảo tài liệu 'giáo trình phân tích quy trình ứng dụng mosfet với tín hiệu xoay chiều p4', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện thế ngõ vào là vgs và ig. Dòng điện và điện thế ngõ ra là vds và id id ig Ậ Ạ Ị vgs Vds Hình 39 Do dòng ig rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là -vgs rn rất lớn ig Dòng thoát id là một hàm số theo vgs và vds. Với tín hiệu nhỏ dòng điện và điện thế chỉ biến thiên quanh điểm điều hành ta sẽ có lD diD dGS Vgs diD dVDS VDS Q Q Người ta đặt gm diD dvGS và Ta có iđ g V. m gs Q 1 . vds ro 1 Ạl. ro dvDS co the đặt go ro Q vgs Các phương trình này được diễn tả bằng giản đồ sau đây gọi là mạch tương đương xoay chiều của FET. G d D Ạ Ị vgs rn gmvgs Ạ r0 Vds S Hình 40 Riêng đối với E-MOSFET do tổng trở vào rn rất lớn nên trong mạch tương đương người ta có thể bỏ rn Trang 116 Biên soạn Trương Văn Tám id Vds S Hình 41 IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN TRANSCONDUCTANCE CỦA JFET VÀ DEMOSFET. Cũng tương tự như ở BJT một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền của FET là tỉ số gm id t Vgs t Về mặt toán học từ phương trình truyền Id Idss - 2 VGS GS VGS off 1 - Trang 117 Biên soạn Trương Văn Tám 2 Ta suy ra gm dID dVGS IDSS V v GS VGS off 2I g ẤDSS 5m V vGS off V GS VGS off Trị số của gm khi VGS 0volt tức khi ID IDSS được gọi là gmo. Vậy 2I g _ ẤDSS gmo -T J VGS off Từ đó ta thấy gm gmo V GS VGS off 1 - 1 1 Trong đó gm là điện dẫn truyền của JFET hay DE-MOSFET với tín hiệu nhỏ gmo là gm khi Vgs 0V VGS Điện thế phân cực cổng - nguồn VGS ogý Điện thế phân cực cổng - nguồn làm JFET hay DE-MOSFET ngưng. Ngoài ra từ công thức ID IDSS V 12 1 - GS Ta suy ra VGS off _ Jd_ Vdss 1- V GS VGS off Vậy gm gmoA7D- V IDSS Phương trình trên cho ta thấy sự liên hệ giữa điện dẫn truyền gm với dòng điện thoát ID tại điểm điều hành Q. gmo được xác định từ các thông số IDSS và VGS off do nhà sản xuất cung cấp. X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET. Do công thức tính dòng điện thoát ID theo VGS của E-MOSFET khác với JFET và DE-MOSFET nên điện dẫn truyền của nó cũng khác. Từ công thức truyền của E-MOSFET Id k
