Khái niệm độ nhạy trong sợi quang được đưa ra đầu tiên bởi Hill. Độ nhạy trong sợi quang được định nghĩa như là một tính chất của vật liệu dẫn quang được thể hiện ở khả năng lưu giữ quá trình điều biến | ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP BỘ MÔN THÔNG TIN QUANG ĐỀ TÀI CÁCH TỬ BRAGG SỌI QUANG CHƯƠNG 2 CHẾ TẠO FBG Độ nhạy trong sợi quang Khái niệm độ nhạy trong sợi quang được đưa ra đầu tiên bởi Hill. Độ nhạy trong sợi quang được định nghĩa như là một tính chất của vật liệu dẫn quang được thể hiện ở khả năng lưu giữ quá trình điều biến vi sai nhằm phân bố cường độ phát xạ quang theo ý muốn. Tính chất này được ứng dụng nhiều trong chế tạo các thiết bị quang chẳng hạn như cách tử. Cách tử chiết suất khúc xạ là một thiết bị quang có nhiệm vụ điều biến tín hiệu theo chu kì hoặc pha của sóng tới. Việc chế tạo các cách tử dạng này thường dùng các vật liệu có tính chất nhạy cảm ánh sáng chẳng hạn như Li Ga-As Ba-Ti . Để mô tả độ nhạy ánh sáng trong sợi quang chẳng hạn sợi Ge người ta đưa ra một số mô hình. Những mô hình này dựa vào sự thay đổi đỉnh hấp thụ của vật liệu và mối quan hệ Kramer-Kronig để phân tích sự biến thiên của chiết suất khúc xạ. 2. 1. 1 Mô hình trung tâm màu Cơ chế tạo ra độ nhạy trong sợi quang là dựa trên sự ảnh hưởng của sự thay đổi chiết suất khúc xạ vào sự phát xạ ánh sáng của cấu trúc GeO không hoàn hảo và đỉnh hấp thụ vật liệu tại bước sóng 252nm. Cấu trúc không hoàn hảo này được gọi là mô hình trung tâm màu. Cấu trúc này được tạo ra do quá trình ion hoá có phát xạ. Hình 2. 1 minh hoạ quá trình tạo trung tâm màu Ge. Trung tâm màu được tạo ra do sự phá vỡ liên kết Ge-Ge Si giải phóng 1e tự do. Quá trình này cộng với quá trình chiếu xạ bằng tia cực tím sẽ tạo ra đỉnh hấp thụ mới ở bước sóng 195 213 và 281nm. Quá trình này là liên tục do tính chất cấu trúc của vật liệu SiO2. Theo mô hình này người ta chứng minh được rằng chiết suất khúc xạ tại một điểm chỉ phụ thuộc vào mật độ và véc tơ định hướng của các ion được tạo ra do phá vỡ liên kết. Nó được thể hiện bằng phổ hấp thụ electron của các ion này. Có thể nhận thấy rằng băng hấp thụ này tương ứng với trung tâm GeE . Dùng biểu thức Kramer-Kronig người ta có thể đánh giá được sự thay đổi của băng hấp thụ này. Điêm .
