Tham khảo tài liệu 'giáo trình hướng dẫn phân tích khả năng vận dụng nguyên lý chuyển mạch với vi mạch tần số p9', khoa học tự nhiên, vật lý phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | b Duy trì hiển thị chân INTR. Nếu INTR xuống thấp thì việc chuyển đổi đuợc hoàn tất và ta có thể sang buớc kế tiếp. Nếu INTR cao tiếp tục thăm dò cho đến khi nó xuống thấp. c Sau khi chân INTR xuống thấp ta bật CS 0 và gửi một xung cao - xuống - thấp đến chân RD để lấy dữ liệu ra khỏi chip ADC 804. Phân chia thời gian cho quá trình này đuợc trình bày trên hình . Hình Phân chia thời gian đọc và ghi của ADC 804. Mặt khác chúng ta có thể kiểm tra ADC 804 bằng cách sử dụng so đổ mạch trên hình . thiết lập này đuợc gọi là chế độ kiểm tra chạy tự do và đuợc nhà sản xuất khuyến cao nên sử dụng. Hình trình bày một biến trở đuợc dùng để cắp một điện áp tuong tự từ 0 đến 5V tới chân đầu vào. Vin của ADC 804 các đầu ra nhị phân đuợc hiển thị trên các đèn LED của bảng huấn luyện số. Cần phải luu ý rằng trong chế độ kiểm tra chạy tự do thì đầu vào CS đuợc nối tới đất và đầu vào WR đuợc nối tới đầu ra INTR. Tuy nhiên theo tài liệu của hãng National Semiconductor nút WR và INTR phải đuợc tạm thời đua xuống thấp kế sau chu trình cấp nguổn để bảo đảm hoạt động . 8051 ADC804 5V 9 RD Vcc LZ- CLK R WR CLK IN D0 Vin Vin - 4 150pF ợi Hình Nối ghép ADC 804 với nguồn đồng hồ riêng. . Cảm biến quang Định nghĩa. Các cảm biến quang được sử dụng để chuyển thông tin từ ánh sáng nhìn thấy hoặc tia hổng ngoại IR và tia tử ngoại UV thành tín hiệu điện. . Tế bào quang dẫn Đặc trưng của các cảm biến điện trở là sự phụ thuộc của điện trở vào thông lượng bức xạ và phổ của bức xạ đó. Các tế bào quang dẫn là một trong những cảm biến quang có độ nhạy cao. Co sở vật lý của tế bào quang dẫn là hiện tượng quang dẫn do kết quả của hiệu ứng điện nôi hiện tượng giải phóng hạt tải điện trong vật liệu dưới tác dụng của ánh sáng làm tăng độ dẫn của vật liệu. . Vật lý quang dẫn Dưới đây xét mô hình đon giản để rút ra các mối quan hệ định lượng giữa các đại lượng. Giả sử có một tấm bán dẫn phẳng thể tích V pha tạp loại n với nổng độ các donor Nd có mức .
