CHƯƠNG 3. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG Transistor hiệu ứng trường gọi tắt là FETs [Fiel-Effect Transistors] bao gồm hai loại chính đó là: Transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng bán dẫn-oxide-kim loai, gọi tắt là MOSFET [Metal-Oxide-Semiconductor FET], và transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng tiếp giáp pn, thường gọi là JFET [Junction FET]. Transistor MOSFET đã trở thành một trong những dụng cụ bán dẫn quan trọng nhất trong việc thiết kế chế tạo các mạch tích hợp (ICs) do tính ổn định nhiệt và nhiều đặc tính thông dụng tuyệt vời khác của nó | CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 56 CHƯƠNG 3. TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG Transistor hiệu ứng trường gọi tắt là FETs Fiel-Effect Transistors bao gồm hai loại chính đó là Transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng bán dẫn-oxide-kim loai gọi tắt là MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor FET và transistor hiệu ứng trường có cấu trúc cổng bằng tiếp giáp pn thường gọi là JFET Junction FET . Transistor MOSFET đã trở thành một trong những dụng cụ bán dẫn quan trọng nhất trong việc thiết kế chế tạo các mạch tích hợp ICs do tính ổn định nhiệt và nhiều đặc tính thông dụng tuyệt vời khác của nó. Cả MOSFET và JFET đều dẫn điện theo các kênh dẫn nên mỗi loại đều có ở dạng kênh dẫn bằng bán dẫn n hoặc p gọi là MOSFET kênh n gọi tắt là NMOS MOSFET kênh p gọi tắt là PMOS và JFET kênh n và JFET kênh p tương ứng. Ngoài ra đối với MOSFET dựa theo nguyên tắc hình thành kênh dẫn mà có MOSFET cảm ứng kênh hay tăng cường kênh giàu kênh kênh không có sẵn và MOSFET nghèo kênh kênh có sẵn . CẤU TRÚC CƠ BẢN CỦA MOSFET . Cấu tạo cơ bản và ký hiệu mạch của MOSFET kênh n được cho ở hình . Phần chính của một MOSFET có cấu trúc như hai bản cực của một tụ điện một bản kim loại ở phía trên được nối với chân ra gọi là chân Cổng Gate G bản cực phía dưới là phiến đế làm bằng vật liệu bán dẫn Si tạp dạng p đôi khi đế được nối với cực nguồn ở bên trong MOS MOS ba chân nhưng phần lớn cực đế được lấy ra bằng một chân thứ tư có tên là chân Đế Bode B có khi còn gọi là cực 55 Substrate để có thể cho phép điều khiển bởi mức điện thể của nó từ bên ngoài. Lớp điện môi của tụ chính là lớp cách điện rất mỏng di ôxit Silicon S1O2 do cấu trúc như vậy nên Cổng - Đế được gọi là cấu trúc của tụ MOS Metal-Oxide-Semiconductor . Các chân Nguồn Source 5 và Máng Drain D là các chân được nối với các vùng bán dẫn tạp dạng n đặt bên trong phiến đế gọi là vùng Nguồn và vùng Máng tương ứng. Đối với một dụng cụ bán dẫn kênh n thì dòng điện được hình thành bằng các điện tử và vùng Nguồn và Máng Hình a cáu tọo cùa MOSFET kênh - n b MỘI
