Tham khảo tài liệu 'giáo trình phân tích quy trình ứng dụng các loại diode phân cực trong bán kì âm tín hiệu p3', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Chương V TRANSISTOR LƯỠNG cực BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR-BJT I. CẤU TẠO CƠ BẢN CỦA BJT Transistor lưỡng cực gồm có hai mối P-N nối tiếp nhau được phát minh năm 1947 bởi hai nhà bác học và được chế tạo trên cùng một mẫu bán dẫn Germanium hay Silicium. Hình sau đây mô tả câu trúc của hai loại transistor lưỡng cực PNP và NPN. Hình 1 B Transistor PNP B Transistor NPN E E C C Ta nhận thây rằng vùng phát E được pha đậm nồng độ chât ngoại lai nhiều vùng nền B được pha ít và vùng thu C lại được pha ít hơn nữa. Vùng nền có kích thước rât hẹp nhỏ nhât trong 3 vùng bán dẫn kế đến là vùng phát và vùng thu là vùng rộng nhât. Transistor NPN có đáp ứng tần số cao tốt hơn transistor PNP. Phần sau tập trung khảo sát trên transistor NPN nhưng đối với transistor PNP các đặc tính cũng tương tự. II. TRANSISTOR Ở TRẠNG THÁI CHƯA PHÂN CựC. Ta biết rằng khi pha chât cho donor vào thanh bán dẫn tinh khiết ta được chât bán dẫn loại N. Các điện tử tự do còn thừa của chât cho có mức năng lượng trung bình ở gần dải dẫn điện mức năng lượng Fermi được nâng lên . Tương tự nếu chât pha là chât nhận acceptor ta có chât bán dẫn loại P. Các lỗ trống của chât nhận có mức năng lượng trung bình nằm gần dải hoá trị hơn mức năng lượng Fermi giảm xuống . Trang 61 Biên soạn Trương Văn Tám Khi nối P-N được xác lập một rào điện thế sẽ được tạo ra tại nối. Các điện tử tự do trong vùng N sẽ khuếch tán sang vùng P và ngược lại các lỗ trống trong vùng P khuếch tán sang vùng N. Kết quả là tại hai bên mối nối bên vùng N là các ion dương bên vùng P là các ion âm. Chúng đã tạo ra rào điện thế. Hiện tượng này cũng được thấy tại hai nối của transistor. Quan sát vùng hiếm ta thấy rằng kích thước của vùng hiếm là một hàm số theo nồng độ chất pha. Nó rộng ở vùng chất pha nhẹ và hẹp ở vùng chất pha đậm. Hình sau đây mô tả vùng hiếm trong transistor NPN sự tương quan giữa mức năng lượng Fermi dải dẫn điện dải hoá trị trong 3 vùng phát nền thu của transistor. E eV n Vùng phát n p n- Vùng hiếm p Vùng nền
