Báo cáo vật lý: "KAJIAN MENGENAI KESAN SUHU, KEPEKATAN LARUTAN KOH DAN TEMPOH PUNARAN TERHADAP PEMBENTUKAN KEADAAN POTONG BAWAH PENJURU DIAFRAM BERALUN SILIKON"

Tuyển tập các báo cáo nghiên cứu khoa học trên tạp chí khoa học vật lý quốc tế đề tài: KAJIAN MENGENAI KESAN SUHU, KEPEKATAN LARUTAN KOH DAN TEMPOH PUNARAN TERHADAP PEMBENTUKAN KEADAAN POTONG BAWAH PENJURU DIAFRAM BERALUN SILIKON | Journal of Physical Science Vol. 17 2 79-100 2006 79 KAJIAN MENGENAI KESAN SUHU KEPEKATAN LARUTAN KOH DAN TEMPOH PUNARAN TERHADAP PEMBENTUKAN KEADAAN POTONG BAWAH PENJURU DIAFRAM BERALUN SILIKON Norhayati Soin1 dan Burhanuddin Yeop Majlis2 Jabatan Kejuruteraan Elektrik Fakulti Kejuruteraan Universiti Malaya 50603 Kuala Lumpur 2Institut Kejuruteraan Mikro dan Nanoelektronik IMEN Universiti Kebangsaan Malaysia 43600 Bangi Selangor Darul Ehsan Malaysia Corresponding author norhayatisoin@ Abstrak Artikel ini membentangkan hasil kajian simulasi mengenai kesan suhu dan kepekatan larutan kalium hidroksida KOH ke atas keadaan potong bawah penjuru yang terhasil pada struktur-struktur penjuru cembung diafram beralun silikon berorientasi 100 . Diafram yang terlibat dalam kajian ini dihasilkan dengan menggunakan teknik punaran anisotropik dengan larutan KOH sebagai larutan pemunar. Kerja-kerja simulasi telah dijalankan dengan menggunakan perisian proses punaran anisotropik Intellisuite. Berdasarkan geometri struktur penjuru cembung terpunar dan kemunculan satah-satah baru silikon keadaan potong bawah penjuru didapati lebih ketara dengan peningkatan suhu dan penurunan kepekatan KOH. Kata kunci potong bawah penjuru punaran anisotropik diafram beralun Abstract This paper presents the results of simulation study on the effect of the temperature and concentration of the kalium hydroxide KOH etchants on the cornerundercutting phenomenon with respect to the formation of the silicon 100 corrugated diaphragm using KOH anisotropic etching. The Intellisuite process simulation software has been used in this study. Based on the geometrical etched structure of the convex corners and the emergent of the new silicon planes the convex corner-undercutting phenomenon is found to be much more pronounced with increasing temperature and decreasing concentration of the KOH etchants. Keywords anisotropic etching corner undercutting corrugated diaphragm 1. PENGENALAN Punaran anisotropik ke .

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.