BJT là 1 loại lkbd 3 cực có khả năng khuếch đại hoặc hoạt động như 1 khóa đóng mở. Nó sử dụng cả hai loại hạt dẫn: điện tử, lỗ trống. | Cấu tạo Nguyên tắc hoạt động Ba sơ đồ cơ bản của BJT Transistor hai cực tính -BJT Đặc tuyến của BJT Mạch phân cực cơ bản cho BJT Mạch khuếch đại lớp A dùng BJT Transistor hai cực tính -BJT E B B C C E P P P+ N N N+ BJT là 1 loại lkbd 3 cực có khả năng khuếch đại hoặc hoạt động như 1 khóa đóng mở. Nó sử dụng cả hai loại hạt dẫn: điện tử, lỗ trống. BJT được cấu tạo từ 2 lớp tx P-N, các lớp bán dẫn này có mật độ hạt dẫn đa số không giống nhau. N+, P+ là lớp bán dẫn có mật độ cao hơn. BJT có hai chuyển tiếp P-N rất gần nhau. Hoạt động của BJT dựa trên sự tương tác giữa hai chuyển tiếp này. Cấu tạo Transistor hai cực tính -BJT Nguồn E1 phân cực cho JE, Nguồn E2 phân cực cho JC Khi E1,E2 = 0,hình thành miền nghèo ở JE và JC tương tự 2 diode Khi E1 = 0, E2 != 0, JC phân cực ngược, vùng nghèo tăng, có dòng ngược ICBO. Khi E1 != 0, E2 != 0, JC phân cực ngược, JE phân cực thuận, điện tử từ N+ phun qua P tạo dòng IE, và lỗ trống từ P phun qua N+. Nguyên tắc hoạt động JE JC N+ N P αIE ICBO IC | Cấu tạo Nguyên tắc hoạt động Ba sơ đồ cơ bản của BJT Transistor hai cực tính -BJT Đặc tuyến của BJT Mạch phân cực cơ bản cho BJT Mạch khuếch đại lớp A dùng BJT Transistor hai cực tính -BJT E B B C C E P P P+ N N N+ BJT là 1 loại lkbd 3 cực có khả năng khuếch đại hoặc hoạt động như 1 khóa đóng mở. Nó sử dụng cả hai loại hạt dẫn: điện tử, lỗ trống. BJT được cấu tạo từ 2 lớp tx P-N, các lớp bán dẫn này có mật độ hạt dẫn đa số không giống nhau. N+, P+ là lớp bán dẫn có mật độ cao hơn. BJT có hai chuyển tiếp P-N rất gần nhau. Hoạt động của BJT dựa trên sự tương tác giữa hai chuyển tiếp này. Cấu tạo Transistor hai cực tính -BJT Nguồn E1 phân cực cho JE, Nguồn E2 phân cực cho JC Khi E1,E2 = 0,hình thành miền nghèo ở JE và JC tương tự 2 diode Khi E1 = 0, E2 != 0, JC phân cực ngược, vùng nghèo tăng, có dòng ngược ICBO. Khi E1 != 0, E2 != 0, JC phân cực ngược, JE phân cực thuận, điện tử từ N+ phun qua P tạo dòng IE, và lỗ trống từ P phun qua N+. Nguyên tắc hoạt động JE JC N+ N P αIE ICBO IC IE B E C E2 E1 ICBO Transistor hai cực tính -BJT JE JC N+ N P αIE ICBO IC IE B E C E2 E1 Khi E1 != 0, E2 != 0, điện tử từ N+ phun qua P tạo dòng IE, và lỗ trống từ P phun qua N+ tạo dòng IB. nN+ >> nP, 1 lượng nhỏ điện tử được tái hợp ở lớp B còn phần lớn vẫn khuếch tán tới lớp C. tại C điện tự sẽ bi điện trường Jc hút về tạo nên dòng IC α = (đtử tới C ) / (đtử phát từ E ) α hệ số truyền đạt dòng điện phát IC = α IE +ICBO ≈ α IE IE = IB +IC Nguyên tắc hoạt động =>IC = α/(1-α) IB β = α/(1-α) β : hệ số khuếch đại dòng IC = β IB Khi BJT đã được phân cực. Thêm nguồn tín hiệu nhỏ nguồn dòng is như hình vẽ. Mức độ phân cực JE sẽ thay đổi theo is làm dòng điện tử E tới C cũng thay đổi theo => iC thay đổi theo is. ib ~ is và ic = β ib iC lớn hơn is => BJT khuếch đại tính hiệu. iC = IC + ic () Transistor hai cực tính -BJT Nguyên tắc hoạt động JE JC αIE ib IC IE B E C E1 is IC IE B E C E2 E1 RE RC RL Transistor hai cực tính -BJT Tín hiệu vào cần khuếch đại được đưa
