Tham khảo tài liệu 'giáo trình hình thành hệ thống ứng dụng cấu tạo mạch tích hợp của vi mạch chuyển đổi đo lường p9', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | THIẾT KẾ VÀ THI CÔNG BỘ THÍ NGHIỆM ĐIÊN TỬ CONG SUAT. CHƯƠNG IV xung ra ngoài kích cho SCR. Xung kích được đưa ra ÔPTÔ thông qua transistor Q7 va Q8. Các transistor nay lam việc theo chế đô đông ngat nên cac điện trô mac nối tiếp vôi ÔPTÔ được chon thiết kế theo dong bao hoa cua diode trong ÔPTÔ. Đoi vôi ÔPTÔ 4N26 thì dong bao hoa la 5mÀ cho nên cac gia trị cua điện trô R28 va R26 được chon la R26 R28 U I I2 . Trong thực tế ta chon R26 R28 . Việc dung cac ÔPTÔ nay nham cach li điện thế cao tư mach bam xung một chiêu vôi mạch tao xung kích. Sô đo mach điện đưôc thể hiện lai như sau hình TRÀNG 41 THIET KE VÀ THI CÔNG BỘ THÍ NGHIÊM ĐIÊN TỬ CÔNG SUAT. CHƯƠNG IV Hình Sơ đổ mạch tạo xung kích cho TRÀNG 33 THIẾT KẾ VÀ THI CÔNG BỘ THÍ NGHIỆM ĐIÊN TỬ CONG SUÀT. CHƯƠNG IV II. THI CỒNG MẠ CH. 1. Sơ đồ mạch lắp linh kiện . Hình Sơ đồ lap đặt linh kiện. TRÀNG .
