Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Luận Văn - Báo Cáo
Báo cáo khoa học
Báo cáo hóa học: " Electronic Structure of a Hydrogenic Acceptor Impurity in Semiconductor Nano-structures"
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Báo cáo hóa học: " Electronic Structure of a Hydrogenic Acceptor Impurity in Semiconductor Nano-structures"
Vũ Minh
63
7
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Electronic Structure of a Hydrogenic Acceptor Impurity in Semiconductor Nano-structures | Nanoscale Res Lett 2007 2 554-560 DOI 10.1007 S11671-007-9098-9 NANO EXPRESS Electronic Structure of a Hydrogenic Acceptor Impurity in Semiconductor Nano-structures Shu-Shen Li Jian-Bai Xia Received 7 September 2007 Accepted 21 September 2007 Published online 9 October 2007 to the authors 2007 Abstract The electronic structure and binding energy of a hydrogenic acceptor impurity in 2 1 and 0-dimensional semiconductor nano-structures i.e. quantum well QW quantum well wire QWW and quantum dot QD are studied in the framework of effective-mass envelopefunction theory. The results show that 1 the energy levels monotonically decrease as the quantum confinement sizes increase 2 the impurity energy levels decrease more slowly for QWWs and QDs as their sizes increase than for QWs 3 the changes of the acceptor binding energies are very complex as the quantum confinement size increases 4 the binding energies monotonically decrease as the acceptor moves away from the nano-structures center 5 as the symmetry decreases the degeneracy is lifted and the first binding energy level in the QD splits into two branches. Our calculated results are useful for the application of semiconductor nano-structures in electronic and photoelectric devices. Introduction Impurity states play a very important role in the semiconductor revolution. Hydrogenic impurities including donors S.-S. Li J.-B. Xia CCAST World Lab. P. O. Box 8730 Beijing 100080 P.R. China S.-S. Li H J.-B. Xia State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences P. O. Box 912 Beijing 100083 P.R. China e-mail sslee@red.semi.ac.cn and acceptors have been widely studied in theoretical and experimental approaches 1 . Recently Mahieu et al. investigated the energy and symmetry of Zn and Be dopant-induced acceptor states in GaAs using cross-sectional scanning tunneling microscopy and spectroscopy at low temperatures 2 . The ground and first excited states were found to have
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Báo cáo hóa học: " Anisotropic Confinement, Electronic Coupling and Strain Induced Effects Detected by Valence-Band Anisotropy in Self-Assembled Quantum Dots"
Báo cáo hóa học: " Research Article Design and Implementation of a Generic Energy-Harvesting Framework Applied to the Evaluation of a Large-Scale Electronic Shelf-Labeling Wireless Sensor Network"
báo cáo hóa học:" Electronic Structures of S-Doped Capped C-SWNT from First Principles Study"
Báo cáo hóa học: " Editorial Shane Cloude School of Electrical and Electronic Engineering, University "
Báo cáo hóa học: " Robert W. Stewart Department of Electrical and Electronic Engineerin"
báo cáo hóa học: " Feasibility and acceptance of electronic quality of life assessment in general practice: an implementation study"
báo cáo hóa học:" The development and validation of the daily electronic Endometriosis Pain and Bleeding Diary"
Báo cáo hóa học: " Tuning the electronic band structure of PCBM by electron irradiation"
Báo cáo hóa học: " Tuning the electronic transport properties of graphene through functionalisation with fluorine"
Báo cáo hóa học: " Optical identification of electronic state levels of an asymmetric InAs/InGaAs/GaAs dot-in-well structure"
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.