Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Khoa Học Tự Nhiên
Vật lý
Uncorrelated electron hole transition energy in GaN|InGaN|GaN spherical qdqw nanoparticles
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Uncorrelated electron hole transition energy in GaN|InGaN|GaN spherical qdqw nanoparticles
Huệ My
84
7
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
The electron (hole) energy and uncorrelated 1Se − 1Sh electron-hole transition in Core(GaN)| well(InxGa1−xN)| shell(GaN) spherical QDQW nanoparticles are investigated as a function of the inner and the outer radii. The calculations are performed within the framework of the effective-mass approximation and the finite parabolic potential confinement barrier in which two confined parameters are taking account. The Indium composition effect is also investigated. A critical value of the outer and the inner ratio is obtained which constitutes the turning point of two indium composition behaviors. | Communications in Physics, Vol. 23, No. 2 (2013), pp. 127-133 UNCORRELATED ELECTRON-HOLE TRANSITION ENERGY IN GaN|InGaN|GaN SPHERICAL QDQW NANOPARTICLES HADDOU EL GHAZI LPS, Faculty of science, Dhar EL Mehrez, BP 1796 Fes-Atlas, Morocco and Special mathematics, CPGE K´enitra, Chakib Arsalane Street, Morocco Email: hadghazi@gmail.com; Phone: (+212) 655194137 ANOUAR JORIO AND IZEDDINE ZORKANI LPS, Faculty of science, Dhar EL Mehrez, BP 1796 Fes-Atlas, Morocco Received 04 March 2013; revised manuscript received 03 April 2013 Accepted for publication 08 May 2013 Abstract. The electron (hole) energy and uncorrelated 1Se − 1Sh electron-hole transition in Core(GaN)| well(Inx Ga1−x N)| shell(GaN) spherical QDQW nanoparticles are investigated as a function of the inner and the outer radii. The calculations are performed within the framework of the effective-mass approximation and the finite parabolic potential confinement barrier in which two confined parameters are taking account. The Indium composition effect is also investigated. A critical value of the outer and the inner ratio is obtained which constitutes the turning point of two indium composition behaviors. I. INTRODUCTION During the past few decades, quantum dot-quantum well (QDQW) nanoparticles have attracted much interest due to their importance in physics, electronic and optical applications [1–5]. The so-called QDQW nanoparticles are typically the spherical core-shell three-layer heterostructures composed of two different materials, in which the material with the smaller bulk band gap is embedded between a core and an outer shell made of the larger band gap material. This structure can be treated as a complicated QD semiconductor with a smaller band gap layer in its core acting as an internal well. This structure gives rise to a significant redistribution of the carriers. The nanoparticles QDQW provide a flexibility to tailor electron and hole characteristics by changing the core radius, the thickness of the
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.