Báo cáo tài liệu vi phạm
Giới thiệu
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Sức khỏe - Y tế
Văn bản luật
Nông Lâm Ngư
Kỹ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
THỊ TRƯỜNG NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Tìm
Danh mục
Kinh doanh - Marketing
Kinh tế quản lý
Biểu mẫu - Văn bản
Tài chính - Ngân hàng
Công nghệ thông tin
Tiếng anh ngoại ngữ
Kĩ thuật công nghệ
Khoa học tự nhiên
Khoa học xã hội
Văn hóa nghệ thuật
Y tế sức khỏe
Văn bản luật
Nông lâm ngư
Kĩ năng mềm
Luận văn - Báo cáo
Giải trí - Thư giãn
Tài liệu phổ thông
Văn mẫu
NGÀNH HÀNG
NÔNG NGHIỆP, THỰC PHẨM
Gạo
Rau hoa quả
Nông sản khác
Sữa và sản phẩm
Thịt và sản phẩm
Dầu thực vật
Thủy sản
Thức ăn chăn nuôi, vật tư nông nghiệp
CÔNG NGHIỆP
Dệt may
Dược phẩm, Thiết bị y tế
Máy móc, thiết bị, phụ tùng
Nhựa - Hóa chất
Phân bón
Sản phẩm gỗ, Hàng thủ công mỹ nghệ
Sắt, thép
Ô tô và linh kiện
Xăng dầu
DỊCH VỤ
Logistics
Tài chính-Ngân hàng
NGHIÊN CỨU THỊ TRƯỜNG
Hoa Kỳ
Nhật Bản
Trung Quốc
Hàn Quốc
Châu Âu
ASEAN
BẢN TIN
Bản tin Thị trường hàng ngày
Bản tin Thị trường và dự báo tháng
Bản tin Thị trường giá cả vật tư
Thông tin
Tài liệu Xanh là gì
Điều khoản sử dụng
Chính sách bảo mật
0
Trang chủ
Kỹ Thuật - Công Nghệ
Điện - Điện tử
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng Mosfet với tín hiệu xoay chiều p1
Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng Mosfet với tín hiệu xoay chiều p1
Quang Danh
63
5
pdf
Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG
Tải xuống
Bình thường đèn 6V cháy sáng nhờ nguồn điện qua mạch chỉnh lưu. Lúc này SCR ngưng dẫn do bị phân cực nghịch, accu được nạp qua D1, R1. Khi mất điện, nguồn điện accu sẽ làm thông SCR và thắp sáng đèn.Từ mô hình tương đương ta thấy Diod được dùng để diễn tả nối P-N giữa vùng P và vùng n-. Điện trở RB1 và RB2 diễn tả điện trở của thỏi bán dẫn n-.Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ: Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện. | Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng Mosfet với tín hiệu xoay chiêu Các hình vẽ sau đây mô tả ảnh hưởng của nhiệt độ trên các đặc tuyến ra đặc tuyến truyền và đặc tuyến của dòng ID theo nhiệt độ khi VGS làm thông số. Hình 19 Ngoài ra một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh các hạt tải điện trong vùng hiếm giữa thông lộ-cổng và tạo ra một dòng điện rỉ cực cổng IGSS gate leakage current . Dòng IGSS được nhà sản xuất cho biết. dòng rỉ IGSS chính là dòng điện phân cực nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn. Dòng điện này là dòng điện rỉ cổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thoát. Dòng IGSS tăng gấp đôi khi nhiệt độ tăng lên 100C. Trang 101 Biên soạn Trương Văn Tám t-25 Igss t C IGSS 250 C 2 10 t IGSS G G D Vds 0V S V GG Hình 20 V. MOSFET LOẠI HIẾM DEPLETION MOSFET DE MOSFET Ta thấy rằng khi áp một điện thế âm vào JFET kênh N thì vùng hiếm rộng ra. Sự gia tăng của vùng hiếm làm cho thông lộ hẹp lại và điện trở của thông lộ tăng lên. Kết quả sau cùng là tạo ra dòng điện ID nhỏ hơn IDSS. Bây giờ nếu ta áp điện thế dương VGS vào JFET kênh N thì vùng hiếm sẽ hẹp lại do phân cực thuận cổng nguồn thông lộ rộng ra và điện trở thông lộ giảm xuống kết quả là dòng điện ID sẽ lớn hơn IDSS. Trong các ứng dụng thông thường người ta đều phân cực nghịch nối cổng nguồn VGS âm đối với JFET kênh N và dương đối với JFET kênh P và được gọi là điều hành theo kiểu hiếm. JFET cũng có thể điều hành theo kiểu tăng VGS dương đối với JFET kênh N và âm đối với JFET kênh P nhưng ít khi được ứng dụng vì mục đích của JFET là tổng trở vào lớn nghĩa là dòng điện IG ở cực cổng - nguồn trong JFET sẽ làm giảm tổng trở vào do đó thông thường người ta giới hạn trị số phân cực thuận của nối cổng - nguồn tối đa là 0 2V trị số danh định là 0 5V . Trang 102 Biên soạn Trương Văn Tám Phân cực kiểu Phân cực kiểu tăng Tối đa 0 2V hiếm Igss I G Vgs GS D Vds - S VDD Hình 21 Tuy JFET có tổng trở vào khá lớn nhưng cũng còn khá nhỏ so với đèn chân không. Để tăng tổng trở vào người ta đã tạo
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Giáo trình Tin học ứng dụng: Phần 2
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p1
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p2
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p3
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p4
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p5
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p6
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p7
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p8
Giáo trình phân tích quy trình ứng dụng tinh lọc tính dính kết trong quy trình tạo alit p9
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.