Giới thiệu: Transistor hiệu ứng trường (Field Effect Transistor - FET): JFET: Junction FET; MOSFET: Metal - Oxid Semiconductor FET (Insulated - Gate - IGFET) Tính chất (Phân biệt với BJT); Nhạy với điện áp; Trở kháng vào rất cao | CHƯƠNG 6 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG FET Giới thiệu Ly thuyết hoạt động cua JFET Ly thuyết hoạt động cua MOSFET Giải tích độ thị va phan cực Giai tích tín hiệu lớn - Sự sai dang Giai tích tín hiệu nhộ Mớ rộng Chựớng 6 1 Giới thiệu Transistor hiệu ứng trường Field Effect Transistor - FET J JFET Junction FET J MOSFET Metal-Oxid Semiconductor FET Insulated-Gate - IGFET Tính chat Phan biet vời BJT J Nhay vời điẹn ap voltage-sensitive J Trờ khang vao rat cao Ly thuyet hoạt động cua JFET Cau tạo n-channel JFET Gate. G r Source s o n-type channel o Oram Ũ Chứờng 6 2 Hoạt động Gia sử S vấ G noi đất VDS 0 Dòng iD D S Phu thuộc vấo VDS vấ Điện trở kênh n Rn-Chấnnei Dòng iChannel -Gate - 0 Do Diode tao bởi tiệp xUc pn Channel-Gate phấn cửc nghịch a Khi VDS tăng Vùng khuyết depletion region - vUng gach cheo tang Rn-Channel tang b vDS Vo Die n ấp nghen pinch-off voltage Hai vUng khuyet chạm nhau iD Ipo Chửởng 6
